[发明专利]一种LED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201810073526.0 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108281527A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 童玲 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粗化 制备 等离子体预处理 单颗LED芯片 光提取效率 亮度分布 晶圆级 均匀性 良品率 生产 | ||
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供LED外延结构，所述LED外延结构包括衬底；自下至上依次形成于所述衬底上的N型外延层、量子阱层及P型外延层；
在所述P型外延层上形成P电极层；
提供基板，将所述基板与所述P电极层相键合；
去除所述衬底并暴露出部分N型外延层；
对暴露的N型外延层进行等离子体预处理；
对所述等离子体预处理后的N型外延层的表面进行粗化工艺；
在所述粗化工艺后的N型外延层上形成N电极。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述衬底并暴露出部分N型外延层的步骤包括：
采用激光剥离法去除所述衬底；
去除切割道上的N型外延层、量子阱层和P型外延层，直至暴露出P电极层；
形成第一保护层，所述第一保护层覆盖切割道的侧壁和暴露出的P电极层，以暴露出部分N型外延层。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一保护层为SiO2层、Si3N4层或Al2O3层。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除所述衬底并暴露出部分N型外延层的步骤包括：
采用激光剥离法去除所述衬底；
形成第二保护层，所述第二保护层覆盖切割道区域的N型外延层，以暴露出部分N型外延层。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第二保护层为SiO2层、Si3N4层或Al2O3层。
6.如权利要求1至5任意一项所述的制备方法，其特征在于，采用氧气等离子体进行所述等离子体预处理。
7.如权利要求1至5任意一项所述的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺进行所述粗化工艺。
8.如权利要求2至5任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述LED外延结构还包括形成于所述衬底和所述N型外延层之间的非故意掺杂外延层。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用激光剥离法去除所述衬底之后，采用干法刻蚀工艺去除所述非故意掺杂外延层。
10.如权利要求1至5任意一项所述的制备方法，其特征在于，在所述P型外延层上形成P电极层的步骤包括：
形成反射电极层，所述发射电极层覆盖所述P型外延层；
形成键合金属层，在所述反射电极层上形成所述键合金属层，所述反射电极层和所述键合金属层共同作为所述P电极层。
11.如权利要求1至5任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述N电极为Ni/Au、Cr/Pt/Au或Al/Ti/Pt/Au的复合结构。
12.如权利要求1至5任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述基板为Si衬底、W/Cu衬底或Mo/Cu衬底。
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