[发明专利]摄像器件及其驱动方法和摄像装置有效
| 申请号： | 201810073983.X | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108155199B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 山下和芳 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 卫李贤;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 摄像器件 光电转换元件 摄像装置 电荷积累 电容量 电荷积累单元 电荷积累区域 电荷转换单元 电压转换元件 驱动摄像器件 半导体基板 驱动 开关选择 电荷 传感器 邻近 图像 | ||
1.一种图像传感器，其包括：
半导体基板，所述半导体基板包括：
多个光电转换元件，至少包括第一光电转换元件和第二光电转换元件；
电荷-电压转换元件，其中，所述电荷-电压转换元件由所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件共用；
第一传输晶体管，连接在所述第一光电转换元件和所述电荷-电压转换元件之间；
第二传输晶体管，连接在所述第二光电转换元件和所述电荷-电压转换元件之间；
第一电荷积累元件，其中，所述第一电荷积累元件的至少一部分与所述第一光电转换元件的电荷积累区域重叠；以及
第二电荷积累元件，其中，所述第二电荷积累元件的至少一部分与所述第二光电转换元件的电荷积累区域重叠，
其中，所述多个光电转换元件中的每个光电转换元件被配置为接收从所述半导体基板的第一表面入射的光，并且
其中，所述第一电荷积累元件和所述第二电荷积累元件设置在所述半导体基板的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：
布线层，
其中，所述图像传感器是背部照明型图像传感器，其中所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件设置在所述半导体基板的光接收表面和所述布线层之间。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一电荷积累元件和所述第二电荷积累元件是所述布线层的一部分。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括光屏蔽层，其中，所述第一电荷积累元件和所述第二电荷积累元件是所述光屏蔽层的一部分。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述第一电荷积累元件设置在所述光屏蔽层和所述第一光电转换元件之间，并且其中，所述第二电荷积累元件设置在所述光屏蔽层和所述第二光电转换元件之间。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一电荷积累元件和所述第二电荷积累元件中的每一者包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极和所述第二电极中的一者连接到电容量开关。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述电荷-电压转换元件是浮动扩散区，并且其中，所述第一电荷积累元件和所述第二电荷积累元件中的每一者是电容器。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器是前部照明型图像传感器，其中，所述第一光电转换元件被包括在像面相位差像素中，并且其中，所述第一电荷积累元件作为所述第一光电转换元件的光屏蔽层进行操作。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
