[发明专利]一种OJ芯片制造二极管的生产工艺在审
申请号: | 201810074000.4 | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN108447768A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 张世华;张晏宁 | 申请(专利权)人: | 如皋市远亚电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/329 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碱洗 二极管 芯片表面 芯片制造 电性 生产工艺 焊接 焊料 金属离子吸附 金属与酸反应 化学键 二极管制造 金属离子 金属物质 影响芯片 传统的 胶固化 清洗液 酸反应 钝化 防碎 附着 击穿 良率 排出 上胶 生热 塑封 酸洗 预洗 清洗 芯片 腐蚀 金属 排放 土壤 节约 污染 | ||
1.一种OJ芯片制造二极管的生产工艺,其特征在于:具体方法包括如下步骤:
S1:OJ芯片的防碎处理:在OJ芯片的外表面上通过电镀铜液进行化镀,使得OJ芯片的表面覆盖一层铜膜,所述铜膜的厚度为5μm-10μm;化镀温度为35℃-45℃,化镀时间为15min-20min;
S2:碱预洗:在完成S1的OJ芯片电镀铜防碎处理后,将电镀铜后的OJ芯片放入7%-10%的烧碱溶液中进行15min-20min的清洗;烧碱的温度为75℃-85℃;
S3:焊接:将两金属引线电极、焊片和碱预洗后的OJ芯片装入工装夹具内,送入焊接炉加温,温度控制在 340±5℃,焊接时间为12min-15min,使OJ芯片与金属引线连接;
S4:钝化与碱洗:将焊接工艺后的带引线OJ芯片投入到浓度为2%-3%的烧碱中90S-150S进行碱洗且烧碱的温度为75℃-85℃;然后加入钝化液中20s-40s钝化处理,取出烘干;
S5:上胶:在OJ芯片外形成一个环绕在芯片外围的环形间隙,然后向环形间隙内灌入OJ芯片护封用胶,使OJ芯片护封用胶环绕在OJ芯片外侧壁表面;所述OJ芯片护封用胶使用常温固化胶或高温固化胶,并通过灌注针头将OJ芯片护封用胶灌注至所述的OJ芯片环形间隙中,灌注时,灌注针头通过N2加压进行灌注,N2压力控制在0.5-2.0kgf/cm2,灌注时间为5S-10S;
S6:胶固化:将灌胶后的芯片和引线进行芯片护封胶用固化,直至固化完全,固化温度为60℃-250℃,固化时间为8h-12h;
S7:塑封:胶固化后,对OJ芯片和引线进行塑封,通过塑封工序,形成一包裹芯片及引线的塑封结构;所述塑封中塑封材料为低温固化AB胶、高温固化AB胶或传统环氧树脂。
2.根据权利要求1所述的一种OJ芯片制造二极管的生产工艺,其特征在于:所述S4中钝化液包括磷酸、双氧水和纯水,所述磷酸、双氧水和纯水的体积比为 1 :1 :3,在所述磷酸、双氧水和纯水的混合液中再添加少量的硫酸,所述磷酸、双氧水和纯水的混合液与所述硫酸的体积比为 98 :2;所述磷酸的浓度为 85%,所述双氧水的浓度为 30-35%,所述硫酸的浓度为 98%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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