[发明专利]通过光阻剥离实现电极层图案化的方法

权利要求书

1.一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、在基板(1)上至少连续涂布一层下层光阻(21)与一层上层光阻(22)，形成光阻层(2)；

所述下层光阻(21)与上层光阻(22)的交联性能不同；

步骤S2、使用半色调光罩对所述光阻层(2)进行曝光、显影，形成第一光阻区域(A)、第二光阻区域(B)及无光阻区域(D)；

步骤S3、去除所述第二光阻区域(B)内的光阻层(2)，而保留所述第一光阻区域(A)内的光阻层(2)；步骤S4、在所述基板(1)与第一光阻区域(A)内的上层光阻(22)上沉积电极层(3)；

步骤S5、利用剥离液剥离所述第一光阻区域(A)内的上层光阻(22)与下层光阻(21)，同时去除沉积在所述第一光阻区域(A)内的上层光阻(22)上的部分电极层(3)，得到图案化的电极层(3)；

所述上层光阻(22)与所述下层光阻(21)的组分均含有感光剂，且所述上层光阻(22)中感光剂的含量与所述下层光阻(21)中感光剂的含量不同或者所述上层光阻(22)中感光剂的种类与所述下层光阻(21)中感光剂的种类不同。

2.如权利要求1所述的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，在所述步骤S2与步骤S3之间还包括：

步骤S23、透过所述无光阻区域(D)对所述基板(1)进行蚀刻，形成过孔(V)；

所述步骤S4所述沉积的电极层(3)还填充所述过孔(V)。

3.如权利要求2所述的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，所述基板(1)包括衬底基板(11)及设于所述衬底基板(11)上的缓冲层(12)，所述过孔(V)贯穿所述缓冲层(12)。

4.如权利要求1所述的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，所述下层光阻(21)与上层光阻(22)均为负性光阻，经所述步骤S2曝光、显影后，所述第一光阻区域(A)内下层光阻(21)与上层光阻(22)均呈倒梯形。

5.如权利要求4所述的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，所述上层光阻(22)的感光能力高于下层光阻(21)的感光能力，从而经曝光后所述上层光阻(22)的交联性能高于下层光阻(21)的交联性能。

6.如权利要求4所述的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，所述上层光阻(22)的感光能力低于下层光阻(21)的感光能力，从而经曝光后所述上层光阻(22)的交联性能低于下层光阻(21)的交联性能。

7.如权利要求1所述的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，所述上层光阻(22)与所述下层光阻(21)的组分还含有溶剂与酚醛树脂。

8.如权利要求1所述的通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，其特征在于，所述下层光阻(21)与上层光阻(22)均为正性光阻，经所述步骤S2曝光、显影后，所述第一光阻区域(A)内下层光阻(21)与上层光阻(22)均呈梯形。