[发明专利]低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法在审
| 申请号： | 201810075289.1 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108281508A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 汪雷;刘友博;蔡辉;王淑娴;李利凯;杨德仁;孙葳;陈敏;刘雪艳;沈家万 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;蚌埠产品质量监督检验研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅片 线切割 腐蚀液 双氧水 制备 氨水 去离子水 腐蚀 低表面反射率 质量百分比 浸没 乙醇 清洗 混合水溶液 绒面反射率 体积百分比 混合溶液 少子寿命 体积比 吹干 | ||
1.一种低表面反射率金刚线切割多晶硅片绒面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在20～50℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀20～60min；
所述第一腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，在第一腐蚀液中，HF的浓度为1～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.1～1mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1～5％；
(2)在10～30℃下，将步骤(1)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀10～30min；
所述第二腐蚀液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1～3∶1～6；
氨水的质量百分比浓度为25％、双氧水的质量百分比浓度为30％；
(3)将步骤(2)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片用去离子水清洗、吹干，即得。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的清洗为：将金刚线切割多晶硅片放入乙醇中超声清洗后，再投入RCA溶液中进行清洗。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在第一腐蚀液中，HF的浓度为5～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.1～0.5mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1～2％。
4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，腐蚀温度为28～32℃，腐蚀时间为30～40min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在第二腐蚀液中，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1∶2～4。
6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，腐蚀温度为室温，腐蚀时间为10～20min。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在30℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀20～60min；
所述第一腐蚀液为HF、Fe(NO3)3和乙醇的混合水溶液，在第一腐蚀液中，HF的浓度为5～10mol/L，Fe(NO3)3的浓度为0.2～4mol/L，乙醇的体积百分比浓度为1％；
(2)在室温下，将步骤(1)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀20～30min；
所述第二腐蚀液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液，氨水、双氧水和去离子水的体积比为1∶1∶2～4；
(3)将步骤(2)中腐蚀后的金刚线切割多晶硅片用去离子水清洗、吹干，即得。
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