[发明专利]一种双面注入得到SOI的方法有效
| 申请号： | 201810075765.X | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN110085549B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘洋 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双面 注入 得到 soi 方法 | ||
1.一种双面注入得到SOI的方法，其特征在于：其依次按照下述要求进行操作：
①对硅片氧化，之后在硅片正面和背面注入氢离子H+；
②注入后的硅片与下述结构同时键合、裂片，同时得到两片SOI：2片硅片、 或2片氧化片、 或1片硅片和1片氧化片；
③得到两片不同规格的SOI或两片相同规格的SOI；不同规格的SOI的区别是：顶硅厚度不同，厚度范围是：1-1000nm；衬底片的电阻率/含氧/碳量不同；
所述氧化工艺步骤具体为：将所述硅片原材料的一侧表面上进行氧化，获得带有氧化层的硅片；进行清洗去除表面污染物，然后使用测试设备测试该带有氧化层的硅片表面颗粒情况、氧化层的厚度及其他各项参数，选择符合要求的硅片；
将待用硅片正背面分别与氧化硅片进行键合的要求是：键合压力为10-10000N，恒温时间完成后进行低温退火，温度：100-450℃，时间：1-10小时；之后进行微波裂片，温度要求低于500℃，时间要求少于30min。
2.按照权利要求1所述双面注入得到SOI的方法，其特征在于：硅片氧化后在硅片正面和背面都注入氢离子的要求是：注入能量为10-200kev；注入正面深度在10-2000nm之间，背面深度在10-2000nm之间。
3.按照权利要求1或2所述双面注入得到SOI的方法，其特征在于：对硅片进行氧化后获得二氧化硅氧化层的厚度为0-6μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
