[发明专利]一种半导体产品用绝缘层结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体产品用绝缘层结构，其特征在于：其构成如下：器件衬底(1)、支撑衬底(2)、薄膜层(3)；其中：器件衬底(1)、支撑衬底(2)二者均为硅片；薄膜层(3)在器件衬底(1)和/或支撑衬底(2)上布置；薄膜层(3)为下述几种之一：二氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、多晶硅层以及非晶硅层；

器件衬底(1)和/或支撑衬底(2)二者之一和另一通过至少布置在其中之一上的薄膜层(3)键合在一起共同构成一个整体形成多层SOI结构。

2.按照权利要求1所述半导体产品用绝缘层结构，其特征在于：器件衬底(1)、支撑衬底(2)二者至少其中之一的薄膜层(3)上还布置有至少一层中间层(4)，中间层(4)为下述几种之一或其某种组合：二氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、多晶硅层以及非晶硅层；

器件衬底(1)和/或支撑衬底(2)二者至少其中之一的薄膜层(3)上布置有中间层(4)；器件衬底(1)和支撑衬底(2)二者通过至少布置在其中之一上的薄膜层(3)和中间层(4)键合在一起共同构成一个整体形成多层SOI结构。

3.按照权利要求1或2所述半导体产品用绝缘层结构，其特征在于：所述半导体产品用绝缘层结构满足下述要求之一或其组合：

其一，作为器件衬底(1)或/和支撑衬底(2)使用的硅片电阻率为0.1-10000ohm.cm，

其二，当薄膜层(3)或中间层(4)为二氧化硅层时其厚度为0-5um，作为薄膜层(3)或中间层(4)的下述层状结构的单层厚度为0.01-10um：氮氧化硅层、氮化硅层、多晶硅层、非晶硅层；

其三，硅片直径为以下三种之一：150mm、200mm、300mm；

其四，将器件衬底(1)和支撑衬底(2)上布置的薄膜层(3)或/和中间层(4)键合在一起共同构成一个整体形成多层SOI结构。

4.一种半导体产品用绝缘层结构的制备方法，其特征在于：制备方法的要求依次是：

首先准备半导体产品用绝缘层结构的器件衬底(1)和支撑衬底(2)；并在至少其中之一的表面上制备薄膜层(3)；其中：器件衬底(1)、支撑衬底(2)二者均为硅片；薄膜层(3)在器件衬底(1)和/或支撑衬底(2)上布置；薄膜层(3)为下述几种之一：二氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、多晶硅层以及非晶硅层；

其次，将器件衬底(1)和支撑衬底(2)二者通过至少布置在其中之一上的薄膜层(3)键合在一起共同构成一个整体形成多层SOI结构。

5.按照权利要求4所述半导体产品用绝缘层结构的制备方法，其特征在于：键合之前，在器件衬底(1)、支撑衬底(2)二者至少其中之一的薄膜层(3)上预先布置至少一层中间层(4)，中间层(4)为下述几种之一或其某种组合：二氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、多晶硅层以及非晶硅层；

键合时满足下述要求：键合前器件衬底(1)和支撑衬底(2)二者中至少其中之一的基体上依次布置有薄膜层(3)、中间层(4)；被键合的二者中的另一个为以下几种之一：未设置薄膜层(3)和中间层(4)的基体本身、在基体上只设置了薄膜层(3)、在基体上先设置了薄膜层(3)又在薄膜层(3)上设置了中间层(4)。

6.按照权利要求4或5所述半导体产品用绝缘层结构的制备方法，其特征在于：

键合之前选用的器件衬底(1)、支撑衬底(2)二者均为硅片，硅片的电阻率为0.1-10000ohm.cm；

当薄膜层(3)为二氧化硅层时其厚度为0-5um；

当器件衬底(1)和/或支撑衬底(2)上的薄膜层(3)还设置有至少一层中间层(4)时，中间层(4)的单层厚度为0.01-10um且其单层结构的材质具体为下述几种之一：氮氧化硅层、氮化硅层、多晶硅层、非晶硅层。

7.按照权利要求6所述半导体产品用绝缘层结构的制备方法，其特征在于：硅片直径为以下三种之一：150mm、200mm、300mm；

将器件衬底(1)和支撑衬底(2)上布置的薄膜层(3)或/和中间层(4)键合在一起共同构成一个整体形成多层SOI结构。