[发明专利]一种开关电源的软启动装置及方法有效

专利信息
申请号: 201810076210.7 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN108322034B 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 苟昌华;王武军 申请(专利权)人: 苏州浪潮智能科技有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 代理人: 王汝银
地址: 215100 江苏省苏州市吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 开关电源 启动 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种开关电源的软启动装置,其特征在于,所述开关电源的软启动装置包括控制芯片、MOSFET A和MOSFET B;

所述控制芯片设有管脚1、管脚2、管脚3和管脚4,所述管脚1与所述MOSFET A栅极连接,所述管脚2与所述MOSFET B的栅极连接,所述MOSFET A和MOSFET B的漏极作为输入端input且均与直流电源的正极端连接,所述MOSFET A和MOSFET B的源极作为输出端output且均与后端电容C2连接,所述输出端output上设有电压检测电路,所述电压检测电路与所述管脚3连接,所述直流电源的正负极端上并联有板卡上的滤波电容C1;

所述控制芯片用于在软启动开始时,启动所述MOSFET A,并根据所述电压检测电路侦测的电压值开启所述MOSFET B,并生成Power good信号,通过所述管脚4发送给后端负载芯片;

所述控制芯片包括:

软启动指令接收模块,用于接收板卡发送的开关电源软启动指令;

第一驱动指令生成发送模块,与所述软启动指令接收模块连接,用于当接收到所述开关电源软启动指令时,生成驱动所述MOSFET A导通的第一驱动指令,并将生成的所述第一驱动指令通过所述管脚1发送至所述MOSFET A的栅极,所述MOSFET A接收到所述第一驱动指令后,缓慢导通;

检测电压值接收模块,与所述第一驱动指令生成发送模块连接,用于接收所述电压检测电路通过所述管脚3反馈的输出端output的电压值;

检测电压判断模块,与所述检测电压值接收模块连接,用于将接收到的所述输出端output的电压值与预先设置的电压阈值进行比对,判断所述输出端output的电压值是否达到预先设置的电压阈值;

第二驱动指令生成发送模块,与所述检测电压判断模块连接,用于当所述输出端output的电压值达到预先设置的电压阈值时,生成驱动所述MOSFET B导通的第二驱动指令,并将生成的所述第二驱动指令通过所述管脚2发送至所述MOSFET B的栅极,所述MOSFETB接收到所述第二驱动指令后,缓慢导通;

Power good信号生成发送模块,与所述第二驱动指令生成发送模块连接,用于当所述MOSFET B缓慢启动工作后,生成Power good信号,并将所述Power good信号通过所述管脚4发送给后端负载芯片,所述后端负载芯片根据所述Power good信号开始满载工作;

MOSFET A耐压值较高,且在低电流通过的软启动过程中表现出较好的性能,用在软启动过程中,所述MOSFET B耐压值较低,SOA性能较差,且导通时电阻Rds(On)小,通流能力强的MOS,用在软启动开关完全开通后。

2.根据权利要求1所述的开关电源的软启动装置,其特征在于,所述电压检测电路包括串接在一起的电阻R1和电阻R2,所述电阻R1的另一端连接在所述输出端output与所述后端电容C2之间的线路上,所述电阻R2的另一端接地;

所述电阻R1和电阻R2之间的线路上引出的线路与所述管脚3连接。

3.根据权利要求1所述的开关电源的软启动装置,其特征在于,所述MOSFET A耐压值较高,且在低电流时稳定性较高,所述MOSFET B耐压值较低,SOA性能较差,且导通时电阻较小。

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