[发明专利]一种显示面板、其检测方法、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 201810076498.8 | 申请日: | 2018-01-26 |
公开(公告)号: | CN108288639B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 朱儒晖;邹清华;王玉;姚固;曾苏伟;潘杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 检测 方法 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置,该显示面板,包括:衬底基板,位于衬底基板上的呈阵列排布的多个像素,以及检测电路;其中,每一个像素包括多个子像素;子像素,包括:位于衬底基板上的红外探测单元,以及位于红外探测单元背离衬底基板一侧的发光单元;发光单元,包括:位于衬底基板上的第一电极,位于第一电极背离衬底基板一侧的第二电极,以及位于第一电极和第二电极之间且层叠设置的显示发光部和红外发光部;检测电路与各红外探测单元电连接,用于根据各红外探测单元的光电流信号判断触摸位置。本发明实施例提供的显示面板,红外探测单元和红外发光部不会占用像素的开口率,提高了显示屏的分辨率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板由于具有高对比度、宽色域、响应速度快、可柔性化等优异特性,激起平板行业商业化生产的热情,成为未来显示技术中最具发展潜力的竞争者。其中,主动矩阵有机电致发光(Active-matrixorganic light emitting diode,AMOLED)显示面板得到了广泛的应用。
随着有机电致发光(OLED)显示面板技术的逐步成熟,以及触摸屏传感层与AMOLED集成的内嵌式技术同步发展,基于覆盖表面式(On-cell)触控技术的AMOLED屏已实现商业化,开始应用于公共服务领域和个人娱乐设备,基于内嵌式(In-cell)触控技术的AMOLED屏亦成为各厂商大力发展的目标。
如图1所示,现有技术中,内嵌式AMOLED显示面板中,每一个像素10中包括:红(R)色子像素101、绿(G)色子像素102、蓝(B)色子像素103、红外(IR)发光单元104以及红外光敏检测(IR sensor)单元105,红外发光部104发射光线经用户手指或手掌触控反射,被红外光敏检测单元105检测并定位用户的触摸位置,从而实现了触摸和显示的功能,但由于红外发光部104和红外光敏检测单元105占用了像素10的开口率,导致显示面板的分辨率较低。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、其制作方法及显示装置,用以解决现有技术中存在的由于红外发光部和红外光敏检测单元占用像素的开口率,导致显示面板分辨率较低的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上的呈阵列排布的多个像素,以及检测电路;其中,
每一个所述像素包括多个子像素;所述子像素,包括:位于所述衬底基板上的红外探测单元,以及位于所述红外探测单元背离所述衬底基板一侧的发光单元;
所述发光单元,包括:位于所述衬底基板上的第一电极,位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧的第二电极,以及位于所述第一电极和所述第二电极之间且层叠设置的显示发光部和红外发光部;
所述检测电路与各所述红外探测单元电连接,用于根据各所述红外探测单元的光电流信号判断触摸位置。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示面板中,所述子像素还包括:位于所述红外探测单元靠近所述衬底基板一侧的反射层;
所述红外探测单元与所述反射层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示面板中,所述子像素还包括:位于所述第一电极与所述红外探测单元之间的绝缘介质层;
每一个所述像素中,各所述子像素对应的所述绝缘介质层的厚度不同。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示面板中,在每一个所述像素中,所述绝缘介质层的厚度随着对应的所述子像素出射光线的波长的增大而增大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的