[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

下布线结构，包括下金属膜，其中所述下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分；

盖层，覆盖所述下金属膜的顶表面；

第二绝缘膜，覆盖所述盖层；

上布线结构，穿透所述第二绝缘膜和所述盖层，并电连接到所述下金属膜；以及

空气间隙，设置在所述下金属膜与所述第二绝缘膜之间，并具有由所述盖层与所述上布线结构之间的距离限定的宽度，

其中所述空气间隙设置在所述上布线结构与所述盖层之间使得所述上布线结构不接触所述盖层。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述空气间隙设置在由所述下金属膜的所述顶表面和所述上布线结构的侧壁限定的拐角区域处。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述空气间隙在垂直重叠所述下金属膜的位置处围绕所述上布线结构的至少一部分。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中所述盖层包括导电盖层、包含金属的第一绝缘盖层和不包含所述金属或另外的金属的第二绝缘盖层，

其中所述导电盖层、所述第一绝缘盖层和所述第二绝缘盖层顺序堆叠在彼此之上，

其中所述空气间隙设置在所述导电盖层与所述上布线结构之间。

5.根据权利要求4所述的集成电路器件，

其中所述导电盖层的面对所述上布线结构的侧壁和所述第一绝缘盖层的面对所述上布线结构的侧壁各自与所述上布线结构间隔开，

其中所述空气间隙设置在所述导电盖层的所述侧壁与所述上布线结构之间以及在所述第一绝缘盖层的所述侧壁与所述上布线结构之间。

6.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中所述空气间隙在所述导电盖层与所述上布线结构之间具有沿着第一方向的第一宽度，并在所述第一绝缘盖层与所述上布线结构之间具有沿着所述第一方向的与所述第一宽度不同的第二宽度。

7.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中所述空气间隙设置在所述下金属膜与所述第二绝缘盖层之间。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中所述盖层包括包含第一金属和半导体元素的第一导电合金盖层、包含不同于所述第一金属的第二金属的第一绝缘盖层以及不包括所述第一金属、所述第二金属或另外的金属的第二绝缘盖层，

其中所述第一导电合金盖层、所述第一绝缘盖层和所述第二绝缘盖层顺序堆叠在彼此之上，

其中所述空气间隙设置在所述第一导电合金盖层与所述第二绝缘盖层之间。

9.根据权利要求8所述的集成电路器件，

其中所述盖层还包括设置在所述下金属膜与所述第一导电合金盖层之间的第二导电合金盖层，

其中所述第二导电合金盖层包括所述半导体元素和不同于所述第一金属的第三金属。

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中所述盖层包括导电盖层和覆盖所述导电盖层并具有三层结构的绝缘盖层，

其中所述绝缘盖层包括包含金属的第一绝缘盖层、不包含所述金属或另外的金属的第二绝缘盖层以及包含所述金属或另外的金属的第三绝缘盖层，

其中所述第一绝缘盖层、所述第二绝缘盖层和所述第三绝缘盖层顺序堆叠在彼此之上。

11.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中所述空气间隙设置在所述导电盖层与所述上布线结构之间。

12.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中所述空气间隙设置在所述第一绝缘盖层和所述第三绝缘盖层中的至少一个与所述上布线结构之间。

13.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中所述第一绝缘盖层和所述第三绝缘盖层由相同的材料形成。