[发明专利]具有输入缓冲电路的半导体装置和存储器系统

权利要求书

1.一种输入缓冲电路，其包括：

高电压保护单元，其联接到焊盘并且包括共同且并联地联接到输出信号节点的低电压通过单元和高电压通过单元；

阱电压生成单元，所述阱电压生成单元生成基于通过所述焊盘被施加的电压可变地控制包括在所述高电压保护单元中的至少一个第一类型晶体管的阱电压的阱控制信号；以及

控制信号生成单元，所述控制信号生成单元生成基于输入使能信号和电压选择信号的保护控制信号；

其中所述低电压通过单元被配置成当落入第一电压范围内的第一电压通过所述焊盘被施加时，将所述第一电压传递到所述输出信号节点，

其中所述高电压通过单元被配置成当落入比所述第一电压范围高的第二电压范围内的第二电压通过所述焊盘被施加时，将比所述第二电压低的第三电压传递到所述输出信号节点，并且

其中，当通过所述低电压通过单元将所述第一电压传递到所述输出信号节点时，所述控制信号生成单元生成控制所述高电压通过单元不发生泄漏电流保护控制信号；当通过所述高电压通过单元将比所述第二电压低的第三电压传递到所述输出信号节点时，所述阱电压生成单元生成控制所述低电压通过单元不发生泄漏电流的阱控制信号。

2.根据权利要求1所述的输入缓冲电路，其中：

所述高电压保护单元使用输入级电源电压作为电源电压，

所述输入级电源电压落入所述第一电压范围内，以及

所述第三电压与所述输入级电源电压相同。

3.根据权利要求2所述的输入缓冲电路，其中：

所述高电压保护单元进一步包括接地电压通过单元，以及

所述接地电压通过单元被配置成当落入比所述第一电压范围低的第三电压范围内的第四电压通过所述焊盘被施加时，将所述第四电压传递到所述输出信号节点。

4.根据权利要求3所述的输入缓冲电路，其中所述第三电压范围包括接地电压。

5.根据权利要求2所述的输入缓冲电路，其中：

所述高电压保护单元进一步包括多个晶体管，以及

当所述第二电压通过所述焊盘被施加时，所述多个晶体管中的每一个的漏极-源极电压差、栅极-漏极电压差以及栅极-源极电压差不超过输入级电源电压的1.1倍。

6.根据权利要求1所述的输入缓冲电路，其中包括在所述阱电压生成单元中的至少一个第一类型晶体管的所述阱电压基于通过所述焊盘施加的所述电压而变化。

7.根据权利要求2所述的输入缓冲电路，其中：

所述高电压保护单元响应于所述电压选择信号被控制，以及

所述电压选择信号根据经所述焊盘施加的信号的电压摆动的幅度而变化。

8.根据权利要求2所述的输入缓冲电路，其进一步包括联接到所述输出信号节点的信号反转单元，

其中所述信号反转单元包括被配置成响应于所述第三电压而关断的第一类型晶体管。

9.一种存储器系统，其包括：

输入缓冲电路，被配置成通过焊盘从主机接收输入信号，

其中所述输入缓冲电路包括使用输入级电源电压作为电源电压的高电压保护单元、阱电压生成单元和控制信号生成单元，所述高电压保护单元包括共同且并联地联接到输出信号节点的低电压通过单元和高电压通过单元，

其中当所述输入信号的电压是比所述电源电压高的第一电压时，所述高电压保护单元输出所述输入级电源电压；

所述阱电压生成单元生成基于所述输入信号的电压可变地控制包括在所述高电压保护单元中的至少一个第一类型晶体管的阱电压的阱控制信号；以及

所述控制信号生成单元生成基于输入使能信号和电压选择信号的保护控制信号，并且

其中，当通过所述低电压通过单元将所述输入级电源电压传递到输出信号节点时，所述控制信号生成单元生成控制所述高电压通过单元不发生泄漏电流保护控制信号；当通过所述高电压通过单元将比第二电压低的第三电压传递到所述输出信号节点时，所述阱电压生成单元生成控制所述低电压通过单元不发生泄漏电流的阱控制信号。