[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201810077682.4 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108288643A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;卢宽宽;彭俊彪;姚日晖;胡诗犇;魏靖林;邓宇熹;邓培淼;周尚雄;袁炜健 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786;H01L21/285 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物薄膜晶体管 三氧化二铝层 铜合金层 栅极绝缘层 铜合金 衬底 沉积 制备 薄膜 三氧化二铝薄膜 薄膜晶体管 电学稳定性 栅极主体层 电子器件 源漏电极 电阻率 叠设 源层 | ||
1.一种氧化物薄膜晶体管栅极，其特征在于：由依次叠设的铜合金层和三氧化二铝层组成，且三氧化二铝层靠近薄膜晶体管中栅极绝缘层；所述铜合金层包含铬和锆。
2.根据权利要求1所述氧化物薄膜晶体管栅极，其特征在于：
所述铜合金层的材料成分包括铜、铬和锆，以重量百分比计，Cr占合金总量的0.1％～0.39％，Zr占合金总量的0.1％～0.5％。
3.根据权利要求2所述氧化物薄膜晶体管栅极，其特征在于：Cr占合金总量的0.29％～0.32％，Zr占合金总量的0.18％～0.21％。
4.根据权利要求1所述氧化物薄膜晶体管栅极，其特征在于：铜合金层的厚度为20～500nm，三氧化二铝层的厚度为1～20nm。
5.根据权利要求1～4任一项所述氧化物薄膜晶体管栅极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)在衬底上沉积20～500nm厚度的铜合金薄膜，所述铜合金薄膜为铜合金层，作为栅极主体层；
(2)在铜合金薄膜上沉积1～20nm厚的三氧化二铝薄膜，所述三氧化二铝薄膜为三氧化二铝层。
6.根据权利要求5所述氧化物薄膜晶体管栅极的制备方法，其特征在于：步骤(2)中沉积完成后，在100～500℃的条件下于空气氛围中退火0.5～2h。
7.根据权利要求6所述氧化物薄膜晶体管栅极的制备方法，其特征在于：步骤(2)中沉积完成后，在250～400℃的条件下于空气氛围中退火。
8.根据权利要求5所述氧化物薄膜晶体管栅极的制备方法，其特征在于：步骤(1)中以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在衬底上沉积铜合金薄膜，作为栅极主体层；
步骤(2)中以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在铜合金薄膜上沉积Al2O3薄膜作为栅极修饰层。
9.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于：包括权利要求1～4任一项所述氧化物薄膜晶体管栅极。
10.根据权利要求9所述氧化物薄膜晶体管，其特征在于：由下至上依次包括衬底、铜合金层、三氧化二铝层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极。
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