[发明专利]运算放大器和芯片

权利要求书

1.一种运算放大器，其特征在于，包括：

差分放大电路，被配置为接收并放大输入电压，以产生输出电压，所述差分放大电路还被配置为接收反馈信号，所述反馈信号用于调整所述输出电压的共模电压；

参考电压生成电路，被配置为检测所述运算放大器的状态信息，并根据所述状态信息生成参考电压，所述状态信息包括所述运算放大器的温度和/或工作电压；

共模反馈电路，被配置为接收所述输出电压以及所述参考电压，并根据所述输出电压以及所述参考电压向所述差分放大电路提供所述反馈信号。

2.如权利要求1所述的运算放大器，其特征在于，所述参考电压生成电路包括：第一偏置电路和第一金属氧化物半导体MOS管，所述第一偏置电路被配置为向所述第一MOS管提供漏极电流，所述第一MOS管的栅极与漏极短路连接，所述参考电压为所述第一MOS管的漏极电压。

3.如权利要求1所述的运算放大器，其特征在于，所述参考电压生成电路包括：分压电路，所述分压电路位于所述工作电压与地之间，所述参考电压为所述分压电路的分压节点的电压。

4.如权利要求1所述的运算放大器，其特征在于，所述参考电压生成电路包括：

第一偏置电路和第一MOS管，所述第一偏置电路被配置为向所述第一MOS管提供漏极电流，所述第一MOS管的栅极与漏极短路连接；

第一求和电路，所述第一求和电路的输入端被配置为分别接收所述第一MOS管的漏极电压和所述工作电压，所述参考电压为所述第一求和电路的输出端的电压。

5.根据权利要求2或4所述的运算放大器，其特征在于，所述第一MOS管与所述运算放大器中的其他MOS管的工艺相同。

6.如权利要求1-5中任一项所述的运算放大器，其特征在于，所述共模反馈电路包括：

第二求和电路，被配置为接收所述输出电压，并根据所述输出电压产生所述共模电压；

第一电平切换电路，被配置为接收所述共模电压，对所述共模电压进行变换，得到第一电压；

第二电平切换电路，被配置为接收所述参考电压，对所述参考电压进行变换，得到第二电压；

放大电路，包括输入对管和输出端，所述输入对管中的第二MOS管的栅极被配置为接收所述第一电压，所述输入对管中的第三MOS管的栅极被配置为接收所述第二电压，所述放大电路的输出端被配置为生成所述反馈信号；

其中，所述第一电平切换电路输出的所述第一电压使得所述第二MOS管工作在饱和区，所述第二电平切换电路输出的所述第二电压使得所述第三MOS管工作在饱和区。

7.如权利要求1-6中任一项所述的运算放大器，其特征在于，所述差分放大电路包括K级放大电路，其中第K-1级放大电路包括第二偏置电路，所述第二偏置电路中的第四MOS管的栅极被配置为接收所述反馈信号，K≥2。

8.如权利要求1-7中任一项所述的运算放大器，其特征在于，所述共模反馈电路还包括滤波电路，所述滤波电路被配置为接收所述共模电压，并过滤所述共模电压的直流成分，以得到快通路反馈信号，所述快通路反馈信号为所述共模电压的交流成分；

所述差分放大电路包括K级放大电路，其中第K级放大电路包括第三偏置电路，所述第三偏置电路中的第五MOS管的栅极被配置为接收所述快通路反馈信号，K≥2。

9.一种芯片，其特征在于，包括：所述芯片上设置有如权利要求1-8中任一项所述的运算放大器。