[发明专利]一种电流复用式低通滤波器

权利要求书

1.一种电流复用式低通滤波器，其特征在于，包括：第一基本跨导单元（Gm1），第二基本跨导单元（Gm2），第三基本跨导单元（Gm3），第四基本跨导单元（Gm4），电容C1和电容C2；

第一基本跨导单元（Gm1）第一端与电源Vin+连接，第一基本跨导单元（Gm1）第二端与第二基本跨导单元（Gm2）第二端连接，第一基本跨导单元（Gm1）第三端分别与电容C1第一端和第三基本跨导单元（Gm3）第一端连接；

第二基本跨导单元（Gm2）第一端与电源Vin-连接，第二基本跨导单元（Gm2）第三端分别与电容C1第二端和第四基本跨导单元（Gm4）第一端连接；

第三基本跨导单元（Gm3）第二端与第四基本跨导单元（Gm4）第二端连接；第三基本跨导单元（Gm3）第三端分别与Vout+和电容C2第一端连接，

第四基本跨导单元（Gm4）第三端分别与Vout-和电容C2第二端连接；

第一基本跨导单元（Gm1）和第二基本跨导单元（Gm2）采用第一电流复用结构，共用一组电流源，形成一个整体，第三基本跨导单元（Gm3）和第四基本跨导单元（Gm4）通过第二电流复用结构形成一个整体；

第一基本跨导单元（Gm1）和第二基本跨导单元（Gm2）之间设有第一电流复用结构（1）；

第一电流复用结构（1）用于使第一基本跨导单元（Gm1）和第二基本跨导单元（Gm2）之间的每条相应的支路上共用一路电流，提升电流利用效率，降低功耗；第一基本跨导单元（Gm1）和第二基本跨导单元（Gm2）采用均为单位增益负反馈接法，使得低频下该滤波器的增益为1；

第一基本跨导单元（Gm1）设有第一自适应S极负反馈结构（2）；

第二基本跨导单元（Gm2）设有第二自适应S极负反馈结构（3）；

第一自适应S极负反馈结构（2）包括：第二十一MOS管M21，第十六MOS管M16以及第十七MOS管M17；

第二自适应S极负反馈结构（3）包括：第十二MOS管M12，第十三MOS管M13以及第六MOS管M6；

第二十一MOS管M21的D极和G极分别与第二十六MOS管M26的D极，第十六MOS管M16G极，第十七MOS管M17 G极连接；第二十六MOS管M26G极连接偏置电压，第二十六MOS管M26S极连接电源；

第二十一MOS管M21的S极连接第十六MOS管M16D极，第十七MOS管M17S极以及第一电流复用结构（1）G极；

第十六MOS管M16S极分别连接第一电流复用结构（1）E极和第一电流分割结构（4）；

第十七MOS管M17的D极分别连接第一电流复用结构（1）I极和第二电流分割结构（5）；

第六MOS管M6的D极和G极分别与第十二MOS管M12G极，第十三MOS管M13G极，第三MOS管M3D极连接，第三MOS管M3G极连接偏置电压，第三MOS管M3S极接地；

第六MOS管M6S极分别连接第十二MOS管M12D极，第十三MOS管M13S极以及第一电流复用结构（1）H极；

第十二MOS管M12S极分别连接第一电流复用结构（1）F极和第三电流分割结构（6）；

第十三MOS管M13D极分别连接第一电流复用结构（1）J极和第四电流分割结构（7）。