[发明专利]一种制备钕铁硼磁体的方法

权利要求书

1.一种制备钕铁硼磁体的方法，其特征在于：所述方法包括配料、铸片、氢碎、气体分筛、制粉、压制成型、烧结；

所述配料，重量比为Nd 19～20.5％、B 0.7～0.8％、Cu 0.3～0.35％、Co 1.2～1.5％、Ga 0.3～0.4％、Zr0.7～0.8％、Nb 0.6～0.7％、Pr 5～6％、Al 0.7～0.9％、余量为Fe，混合生成混合料；

所述铸片，将混合料输送至铸片炉在真空下进行熔炼，熔炼温度为1350-1480℃，并制成厚度为0.3-0.4mm的片状体；

所述氢碎，将片状体与添加剂混合后输入氢碎炉、并在真空状态下进行氢爆，真空度为1.06-1.11Pa,温度为400-600℃，生成初级品；

所述气体分筛，将初级品输入气体分筛机，所述的气体分筛机包括重力箱，重力箱高度为6-8米，重力箱上端设有轻相出口、下端设有重相出口，轻相出口通过第一负压机与第一气流磨连接、重相出口通过第二负压机与第二气流磨连接，惰性气体通过重力箱中间的进料管将初级品吹入重力箱，所述惰性气体充气速度为每秒0.2至0.3米，第一负压机产生的负压为0.06±0.01MPa，第二负压机产生的负压为0.05±0.01MPa；

所述制粉，第一气流磨生成第一细粉，第二气流磨生成第二细粉；

所述压制成型，第一细粉输送至第一成型压机，第一成型压机将第一细粉静压成型，

第二细粉直接输送第二成型压机，第二成型压机将第二细粉静压成型；

所述烧结，第一成型压机压制料输入至第一真空烧结炉，第二成型压机压制料输入至第二真空烧结炉，第一真空烧结炉的真空度小于8Pa、烧结温度940-1070℃、烧结时间为13-15h，第二真空烧结炉的真空度小于10Pa、烧结温度940-1090℃、烧结时间为16-17h；

经过以上步骤，第一真空烧炉生产出的产品经冷却后生成第一钕铁硼磁体，第二真空烧炉生产出的产品经冷却后生成第二钕铁硼磁体；

测试温度20℃，第一钕铁硼磁体生成抗弯强度达到275MPa以上，剩磁(Br)≥1.27T，内禀矫顽力(Hcj)≥1670kA/m，磁能积(BHmax)为≥335kJ/m³；

测试温度20℃，第二钕铁硼磁体生成抗弯强度达到278MPa以上，剩磁(Br)≥1.32T，内禀矫顽力(Hcj)≥1750kA/m，磁能积(BHmax)为≥363kJ/m³。

2.根据权利要求1所述的一种制备钕铁硼磁体的方法，其特征是：所述添加剂为镨，镨重量为片状体重量的0.2～0.3％。

3.根据权利要求1所述的一种制备钕铁硼磁体的方法，其特征是：所述第一气流磨为扁平式气流磨；所述第二气流磨为循环式气流磨。

4.根据权利要求1所述的一种制备钕铁硼磁体的方法，其特征是：所述第一真空烧结炉内烧结温度梯度为从开始到最后依次为960℃±20℃—1000℃±20℃—1045℃±25℃—1000℃±20℃—960℃±20℃—1020℃±30℃—960℃±20℃，时间依次为1h±10min、2h±10min、4h±10min、2h±10min、1h±10min、2h±10min、1h±10min。

5.根据权利要求1所述的一种制备钕铁硼磁体的方法，其特征是：所述第二真空烧结炉内烧结温度梯度为从开始到最后依次为960℃±20℃—1010℃±30℃—1065℃±25℃—1010℃±30℃—970℃±10℃—990℃±10℃—1005℃±5℃—1020℃±10℃-980℃±30℃

时间依次为1h±10min、1.5h±10min、5h±10min、2h±10min、1h±10min、1h±10min、1h±10min、2.5h±10min、1h±10min。

6.根据权利要求1所述的一种制备钕铁硼磁体的方法，其特征是：所述配料中，重量比为Nd20.1％、B0.74％、Cu0.33％、Co1.3％、Ga0.38％、Zr0.7％、Nb0.6％、Pr5％、Al0.7％、余量为Fe。