[发明专利]振荡器有效

专利信息
申请号: 201810079257.9 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN108055021B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 唐原 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H03K3/017 分类号: H03K3/017
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 振荡器
【权利要求书】:

1.一种振荡器,其特征在于,所述振荡器包括两个脉冲发生电路,两个所述脉冲发生电路依次相连接,且最末端的所述脉冲发生电路的输出端与最起始的所述脉冲发生电路的输入端耦合,其中:

每个所述脉冲发生电路根据一输入信号输出第一信号或第二信号;

每个所述脉冲发生电路均包括充放电电路和开关电路,所述开关电路控制所述充放电电路在输入信号为第一电平时充电,所述开关电路控制所述充放电电路在输入信号为第二电平时放电,所述第一电平低于所述第二电平;

当所述输入信号为第一电平时,第一信号为第一电平,所述第二信号为第二电平;

当所述输入信号为第二电平时,第一信号为第二电平,所述第二信号为第一电平,当所述充放电电路完成放电后,第一信号变为第一电平,第二信号变为第二电平;

调节所述充放电电路的充电时间和放电时间来调节振荡器的振荡频率和占空比。

2.如权利要求1所述的振荡器,其特征在于,所述开关电路包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极输入所述输入信号,所述第一晶体管的源极连接电源,所述第一晶体管的漏极连接所述充放电电路,所述第二晶体管的漏极连接所述第一晶体管的漏极,所述第二晶体管的源极连接所述充放电电路。

3.如权利要求2所述的振荡器,其特征在于,所述第一晶体管为P沟道场效应晶体管,所述第二晶体管为N沟道场效应晶体管。

4.如权利要求3所述的振荡器,其特征在于,所述脉冲发生电路还包括一与非门,所述与非门的两个输入端分别连接所述输入信号和所述第一晶体管的漏极。

5.如权利要求4所述的振荡器,其特征在于,所述与非门包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管,其中:

所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极连接所述输入信号,所述第五晶体管和所述第六晶体管的栅极连接所述第一晶体管的漏极;

所述第三晶体管和所述第五晶体管为P沟道场效应晶体管,所述第四晶体管和所述第六晶体管为N沟道场效应晶体管;

所述第三晶体管和所述第五晶体管的源极连接所述电源,所述第三晶体管和所述第五晶体管的漏极连接所述与非门的输出端;

所述第四晶体管的漏极连接所述第三晶体管的漏极,所述第四晶体管的源极连接所述第六晶体管的漏极,所述第六晶体管的源极接地;

所述第三晶体管和所述第五晶体管的沟道宽长比小于所述第四晶体管和所述第六晶体管的沟道宽长比。

6.如权利要求4所述的振荡器,其特征在于,所述振荡器还包括第七晶体管和第八晶体管,其中:

所述第七晶体管和所述第八晶体管为N沟道场效应晶体管;

所述第七晶体管的栅极连接所述与非门的输出端,所述第七晶体管的漏极连接所述第一晶体管漏极,所述第七晶体管的源极连接所述第八晶体管的漏极;

所述第八晶体管的栅极连接所述输入信号,所述第八晶体管的源极接地。

7.如权利要求4所述的振荡器,其特征在于,所述脉冲发生电路还包括第一反相器和第二反相器,所述第一反相器的输入端连接所述与非门的输出端,所述第一反相器输出第一信号,所述第二反相器的输入端连接所述第一反相器的输出端,所述第二反相器输出第二信号。

8.如权利要求7所述的振荡器,其特征在于,所述振荡器包括第一脉冲发生电路和第二脉冲发生电路,所述第一脉冲发生电路的第二信号提供至所述第二脉冲发生电路,作为所述第二脉冲发生电路的输入信号。

9.如权利要求8所述的振荡器,其特征在于,所述振荡器还包括使能信号输入电路,一使能信号提供至所述使能信号输入电路,以使所述使能信号输入电路向第一脉冲发生电路提供初始信号。

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