[发明专利]带隙基准电路

说明书

本发明提供了一种带隙基准电路，所述带隙基准电路包括电荷泵电路和基准电路，其中：一电源电压为所述电荷泵电路供电，以使所述电荷泵电路输出一调控电源，并将所述调控电源提供至所述基准电路，所述调控电源高于所述电源电压并作为所述基准电路的电源，所述基准电路输出带隙参考电压。本发明通过以电荷泵电路提供高于电源电压的调控电压作为带隙基准电路的电源电压从而实现：(1)当电源电压低于带隙基准电路所需最低电源电压时，带隙基准电路仍可正常工作；(2)电荷泵电路输出的调控电压将带隙基准电路的电源波动范围降至最小(接近于零)，带隙基准电路输出的带隙参考电压比较稳定，精度提高。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种带隙基准电路。

背景技术

模拟电路广泛的包含电压基准和电流基准。这种基准是直流量，它与电源和工艺参数的关系很小，但与温度的关系是确定的。产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压或电流。在大多数应用中，所要求的温度关系采取下面三中形式中的一种：1)与绝对温度成正比；2)常数Gm特性，也就是，一些晶体管的跨导保持常数；3)与温度无关。要实现基准电压源所需解决的主要问题是如何提高其温度抑制与电源抑制，即如何实现与温度有确定关系且与电源基本无关的结构。由于在现实中半导体几乎没有与温度无关的参数，因此只有找到一些具有正温度系数和负温度系数的参数，通过合适的组合，可以得到与温度无关的量，且这些参数与电源无关。半导体的导带底与价带顶之差为带隙(Band-gap)。带隙电压基准(Band-gap voltage reference，简称为Band-gap)是利用一个与温度成正比的电压与二极管压降之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。现在有些Band-gap结构输出电压与带隙电压也不一致。

但在现有的带隙基准电路中，若其供电电源的电压较低，则会影响到带隙基准电路输出的电压的准确性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种带隙基准电路，以实现带隙基准电路供电电源的电压低于带隙电路所需的最小电压。

为解决上述技术问题，本发明提供一种带隙基准电路，所述带隙基准电路包括电荷泵电路和基准电路，其中：一电源电压为所述电荷泵电路供电，以使所述电荷泵电路输出一调控电源，并将所述调控电源提供至所述基准电路，所述调控电源高于所述电源电压并作为所述基准电路的电源，所述基准电路输出带隙参考电压。

可选的，在所述的带隙基准电路中，所述电源电压为1.2V，所述调控电源为2.4V，所述带隙参考电压为1.2V。

可选的，在所述的带隙基准电路中，所述基准电路包括第一晶体管和第二晶体管，其中：

所述第一晶体管和所述第二晶体管为P沟道场效应晶体管，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接所述调控电源，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极相连接，所述第二晶体管的漏极连接所述第二晶体管的栅极。

可选的，在所述的带隙基准电路中，所述基准电路还包括第三晶体管和第四晶体管，其中：

所述第三晶体管和所述第四晶体管为P沟道场效应晶体管，所述第三晶体管的源极连接所述第一晶体管的漏极，所述第四晶体管的源极连接所述第二晶体管的漏极，所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极相连接，所述第四晶体管的漏极连接所述第四晶体管的栅极。

可选的，在所述的带隙基准电路中，所述基准电路还包括第五晶体管和第六晶体管，其中：

所述第五晶体管和所述第六晶体管为N沟道场效应晶体管，所述第五晶体管的源极连接所述第三晶体管的漏极，所述第六晶体管的源极连接所述第四晶体管的漏极，所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极相连接，所述第五晶体管的漏极连接所述第五晶体管的栅极。