[发明专利]一种发光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：

（1）提供一磊晶片，包括衬底及衬底上的发光外延层，发光外延层从上至下包括：第一半导体层、活性层以及第二半导体层；

（2）在部分发光外延层表面形成掩膜层并进行图案化，形成图案化掩膜层；其中所述部分发光外延层表面为第一半导体层表面的部分区域，或者所述部分发光外延层表面为从部分第一半导体层往下蚀刻形成的部分裸露的第二半导体层台面；

（3）进行蚀刻工艺，使得所述部分发光外延层表面形成图案化凹凸结构；

（4）在图案化凹凸结构的凹坑中形成金属颗粒；

（5）以金属颗粒作为晶种，进行电镀工艺，沿着金属颗粒沉积生长形成金属导光柱。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）掩膜层图案化采用包括：纳米压印或者电子束光刻或者阳极氧化铝工艺或者涂布纳米小球或者前述任意工艺组合。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：采用电化学蚀刻工艺使得发光外延层形成图案化凹凸结构，取代所述步骤（2）和步骤（3）。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（3）的图案化凹凸结构的高度介于50Å~20000Å。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（3）之后，所述图案化掩膜层去除，或者不去除。

6.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（4）的金属颗粒的形成是通过在图案化凹凸结构上形成一金属薄层，并通过剥离方式，使得位于凹凸结构凸部上的金属薄层被隔断，只留下位于凹坑内的金属薄层，形成金属颗粒。

7.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（4）的金属颗粒的形成是通过在图案化凹凸结构上形成一金属薄层，并进行激光照射处理，使得金属薄层成为熔融状，流入到凹坑中，形成金属颗粒。

8.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（4）的金属颗粒的形成是通过在图案化凹凸结构上形成一金属薄层，并进行高温退火处理，使得金属薄层在高温条件下团聚在凹坑中，形成金属颗粒。

9.根据权利要求6或7或8所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属薄层的厚度介于10Å~20000Å。

10.根据权利要求6或7或8所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属薄层的材质选用Ag或者Al或者Ni或前述组合之一。

11.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属颗粒为纳米状，所述金属导光柱为纳米状。