[发明专利]一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法在审
| 申请号： | 201810079400.4 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108281352A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 孔欣 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/3065;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 台面 晶圆 等离子体 氮化镓晶体管 晶圆表面 器件隔离 光刻胶 等离子体处理 器件隔离工艺 隔离 晶体管区域 正性光刻胶 隔离工艺 隔离技术 隔离区域 隔离效果 工艺步骤 区域暴露 提升器件 注入隔离 负电荷 外延层 掺入 后烘 刻蚀 去除 显影 旋涂 掩膜 遮挡 应用 清洗 曝光 引入 保留 | ||
1.一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、清洗晶圆，旋涂正性光刻胶并进行前烘；
b、对晶圆进行曝光、显影、后烘，得到隔离掩膜，使得晶体管区域保留光刻胶遮挡，且需要隔离的区域暴露出晶圆表面；
c、采用等离子体对晶圆外延层进行刻蚀，形成一定深度的台面；
d、采用等离子体处理晶圆表面，使隔离区域掺入负电荷补偿中心；
e、去除光刻胶，完成器件隔离工艺。
2.根据权利要求1所述一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，其特征在于，所述步骤c和步骤d均在ICP-RIE设备中进行。
3.根据权利要求1或2所述一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，其特征在于，所述步骤a中，旋涂厚度>3.0μm的正性光刻胶并在100℃前烘90s。
4.根据权利要求2所述一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，其特征在于，所述步骤c中，在ICP-RIE设备中，采用Cl基等离子对晶圆进行刻蚀，刻蚀条件为：RF power-50～100W，Cl2-20～50sccm，BCl3-5～10sccm，Pressure-3～10mTorr，Bias power-20～30W，刻蚀深度180～250nm。
5.根据权利要求2所述一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，其特征在于，所述步骤d中，在ICP-RIE设备中，采用氟基等离子体处理晶圆表面，使隔离区域掺入氟基负电荷补偿中心，处理条件为：RF power-200～300W，SF6-20～50sccm，Pressure-5～20mTorr，Biaspower-20～100W，Time-2～5min。
6.根据权利要求2或4或5所述一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，其特征在于，所述ICP-RIE设备为感应耦合等离子体刻蚀机，其具备两个电感线圈，分别用于产生高密度等离子体和对等离子体提供偏置功率。
7.根据权利要求1-6任一项权利要求所述一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，其特征在于，还包括在步骤b之后且在步骤c之前的步骤：对晶圆进行reflow，使正性光刻胶侧壁具备一定的倾斜角度。
8.根据权利要求7所述一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，其特征在于，所述reflow的处理条件为，在135℃烘箱烘烤20-30分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都海威华芯科技有限公司，未经成都海威华芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810079400.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
