[发明专利]掩膜板及彩色滤光片的制作方法在审
申请号: | 201810079698.9 | 申请日: | 2018-01-26 |
公开(公告)号: | CN108170000A | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 莫超德 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F7/20;G02F1/1335 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;程晓 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 彩色滤光片 图案区域 制作 四周边界 中心处 均一 线宽 递减 图案 半透光区域 大尺寸显示 向下弯曲 照射能量 透光率 拉伸 | ||
本发明提供一种掩膜板及彩色滤光片的制作方法。本发明的掩膜板用于制作彩色滤光片,具有图案区域,所述图案区域为半透光区域,且所述图案区域的透光率由掩膜板的四周边界处向中心处递减,从而使通过掩膜板的照射能量由四周边界处向中心处递减,使用该掩膜板制作彩色滤光片,能够有效改善现有技术中因掩膜板自重向下弯曲而造成其图形拉伸不均一进而导致彩色滤光片上图形尺寸大小不均一的问题,得到线宽均匀的图案。本发明的彩色滤光片的制作方法采用上述的掩膜板,能够得到线宽均匀的图案,有效改善大尺寸显示产品中彩色滤光片上图形尺寸大小不均一的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种掩膜板及彩色滤光片的制作方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置,其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。通常液晶显示面板由彩膜(CF,Color Filter)基板、TFT阵列基板、夹于彩膜基板与TFT阵列基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封框胶(Sealant)组成;其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程与CF制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT阵列基板与CF基板贴合)及后段模组组装(Module)制程(驱动IC与印刷电路板压合);其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的运动;前段CF制程主要是形成CF基板;中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。
CF基板是LCD用来实现彩色显示的主要器件,其基本构成通常包括:玻璃基板、黑色矩阵(Black Matrix,BM)、彩色色阻层等等。背光源发出的光经过液晶分子的调制入射到CF基板,通过CF基板上彩色色阻层的红色色阻、绿色色阻、以及蓝色色阻的滤光作用,分别显示红,绿,蓝三种光线,不同颜色的色阻分别透射对应颜色波段的光,从而实现显示器的彩色显示。在CF制程当中,包括光阻涂布、曝光、显影等制程,其中,光阻涂布无疑是最为重要的一个环节,光阻涂布的均匀性以及光阻的厚度对于显示效果都有很重要的影响。
如图1所示,在大尺寸TFT-LCD彩膜基板的制作过程中,由于掩膜板10自重导致其中心区域13向下弯曲,造成其中心区域13和边缘区域11图形拉伸的大小不一样,通过边缘区域11、中部区域12、中心区域13曝光在彩膜基板1上得到的图形尺寸分别为CD1、CD2、CD3,这样在曝光量(投影式曝光)等工艺参数都相同的条件下,由于掩膜板10自重向下弯曲造成曝光得到的图形尺寸大小不均一,即CD1<CD2<CD3,从而影响彩色滤光片的质量。
在实际生产工艺中,上述差异表现为通过边缘区域11得到的图形尺寸CD1较小,容易造成漏光,而通过核心区域13得到的图形尺寸CD3较大,容易造成混色,大大增加了彩色滤光片工艺调试的难度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种掩膜板,使用该掩膜板制作彩色滤光片,能够得到线宽均匀的图案,有效改善大尺寸显示产品中彩色滤光片上图形尺寸大小不均一的问题。
本发明的目的还在于提供一种彩色滤光片的制作方法,采用上述的掩膜板,能够得到线宽均匀的图案,有效改善大尺寸显示产品中彩色滤光片上图形尺寸大小不均一的问题。
为实现上述目的,本发明提供一种掩膜板,用于制作彩色滤光片,具有图案区域,包括玻璃基板、以及设于所述玻璃基板上的金属膜和多个半透膜;
所述金属膜在玻璃基板上形成遮光区域,并在对应所述图案区域上设有数个开口;
所述多个半透膜对应设于所述图案区域上,所述图案区域为半透光区域;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810079698.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:掩模版及其制备方法、显示面板及其制备方法
- 下一篇:感光性树脂组合物及其应用
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备