[发明专利]扇出型封装方法

说明书

本发明提供一种扇出型封装方法，用于形成封装体，方法包括步骤：提供晶圆，晶圆包括多个晶粒，相邻的两个晶粒之间具有第一距离，晶粒包括设置有焊垫的正面；将晶粒转移至第二载体上，在第二载体上，相邻的晶粒之间具有第二距离，第二距离大于第一距离；将晶粒转移至第三载体上，晶粒的焊垫与第三载体连接；去除第二载体；塑封晶粒；去除第三载体，晶粒的焊垫暴露于第一塑封体表面；在第一塑封体暴露晶粒的焊垫的表面设置电路，实现晶粒与外部的电连接；切割，形成独立的封装体。本发明优点是，在切割形成独立的封装体之前，增大晶粒之间的间距，避免切割时，切割工具损坏晶粒，提高封装体的良率，该方法工艺简单且易操作，并能够节约成本，缩短生产周期。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种扇出型封装方法。

背景技术

半导体装置被用于多种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数字相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上按序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，接着使用微影制程图案化所形成的各种材料层，以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。通常数十个或数百个集成电路是在一个半导体晶圆上进行制造，所述半导体晶圆被划分为多个晶粒。所有晶粒整体塑封，形成多个封装体，塑封后再切割形成独立的封装体产品。该种方法的缺点在于，晶粒之间的距离较小，塑封后切割分离易造成晶粒损坏。为了避免晶粒被损坏，通常需要将塑封前的晶粒一颗一颗转移至基板上，生产周期长，且在转移过程中容易损坏晶粒。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种扇出型封装方法，其能够避免塑封后的封装体在切割时被损坏，提高封装体的良率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种扇出型封装方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括多个晶粒，所述多个晶粒设置在一第一载体上，相邻的两个晶粒之间具有一第一距离，所述晶粒包括设置有焊垫的正面及与所述正面相对的背面，所述背面与所述第一载体连接；提供一第二载体；将所述晶粒转移至所述第二载体上，所述晶粒的背面与所述第二载体连接，在所述第二载体上，相邻的晶粒之间具有一第二距离，所述第二距离大于所述第一距离；提供一第三载体；将所述晶粒转移至所述第三载体上，所述晶粒的焊垫与所述第三载体连接；去除所述第二载体；塑封所述晶粒，形成第一塑封体，所述第一塑封体包覆所述晶粒并暴露出所述第三载体；去除所述第三载体，所述晶粒的焊垫暴露于所述第一塑封体表面；在所述第一塑封体暴露所述晶粒的焊垫的表面设置电路，实现所述晶粒与外部的电连接；切割，形成独立的封装体。

在一实施例中，所述晶粒等间距排列在所述第二载体上。

在一实施例中，在去除所述第三载体步骤后，还包括一对暴露于所述第一塑封体表面的晶粒的焊垫进行表面处理的步骤。

在一实施例中，所述表面处理为除蜡或者整平处理。

在一实施例中，在所述第一塑封体暴露所述晶粒的焊垫的表面设置电路的步骤具体包括如下步骤：在所述第一塑封体暴露所述晶粒的焊垫的表面制作重布线层；采用第二塑封体塑封所述重布线层，并暴露出所述重布线层的金属垫；在所述第二塑封体表面对应所述重布线层的金属垫的位置形成引脚。

在一实施例中，在所述第二塑封体表面对应所述重布线层的金属垫的位置，通过植金属球或沉积金属层的方式形成引脚。

在一实施例中，所述晶粒的焊垫为设置在晶粒表面的金属球。

本发明的优点在于，在切割形成独立的封装体之前，增大晶粒之间的间距，避免切割时，切割工具损坏晶粒，提高封装体的良率，该方法工艺简单且易操作，并能够节约成本，节省常规芯片封装需要的底材和粘结剂，且能够缩短生产周期。

附图说明

图1是该扇出型封装方法的步骤示意图；

图2A～图2J是本发明扇出型封装方法的工艺流程图；