[发明专利]基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器在审
申请号: | 201810082946.5 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108281505A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 黄烈云;江海波;刘钟远;伍明娟;龙雨霞;胡莉娟 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0236;H01L31/18;G01J1/42 |
代理公司: | 重庆乾乙律师事务所 50235 | 代理人: | 侯懋琪 |
地址: | 400060 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅微结构 四象限光电探测器 增强型 钝化膜 区表面 增透膜 吸收率 飞秒激光脉冲 光电探测器 可见光 技术效果 近红外光 上下两侧 暗电流 衬底层 硫气氛 下侧面 钝化 熔融 瞬态 | ||
1.一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器,其特征在于:所述1064nm增强型四象限光电探测器包括N型衬底层(1)、P+区(2)、硅微结构层(3)、N+区(4)、钝化膜(5)、增透膜(6)、P电极(7)和N电极(8);所述P+区(2)形成在N型衬底层(1)上侧面的表层中,所述N+区(4)形成在N型衬底层(1)下侧面的表层中,所述硅微结构层(3)形成在N+区(4)的下侧面上;所述钝化膜(5)设置在硅微结构层(3)表面;所述增透膜(6)设置在P+区(2)表面;所述增透膜(6)上设置有P电极孔,P电极(7)通过P电极孔与P+区(2)接触;所述钝化膜(5)上设置有N电极孔,N电极(8)通过N电极孔与N+区(4)接触;所述硅微结构层(3)由N+区(4)表面在高浓度硫气氛中被飞秒激光脉冲瞬态熔融而得。
2.一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器的制作方法,其特征在于:所述方法包括:
1)提供N型衬底层(1);
2)在N型衬底层(1)的上侧面上生长氧化层;
3)在所述氧化层上光刻出有源区;
4)对有源区进行掺杂处理,形成P+区(2);
5)在N型衬底层(1)的上侧面上生长增透膜(6);
6)对N型衬底层(1)的下侧面进行减薄处理;
7)对N型衬底层(1)的下侧面进行掺杂处理,形成N+区(4);
8)在高浓度硫气氛中,采用飞秒激光脉冲对N+区(4)的下侧面进行扫描,使N+区(4)表面瞬态熔融,得到微结构层(3);
9)在微结构层(3)表面生长钝化膜(5);
10)在增透膜(6)和钝化膜(5)上分别光刻出P电极孔和N电极孔;
11)在P电极孔和N电极孔内分别制作出P电极(7)和N电极(8)。
3.根据权利要求2所述的制作1064nm增强型四象限光电探测器的方法,其特征在于:步骤7)中,飞秒激光脉冲的激光波长为800nm、脉冲宽度为100fs、频率为1kHz、功率为2W。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的