[发明专利]基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器在审

专利信息
申请号: 201810082946.5 申请日: 2018-01-29
公开(公告)号: CN108281505A 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 黄烈云;江海波;刘钟远;伍明娟;龙雨霞;胡莉娟 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/0236;H01L31/18;G01J1/42
代理公司: 重庆乾乙律师事务所 50235 代理人: 侯懋琪
地址: 400060 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 硅微结构 四象限光电探测器 增强型 钝化膜 区表面 增透膜 吸收率 飞秒激光脉冲 光电探测器 可见光 技术效果 近红外光 上下两侧 暗电流 衬底层 硫气氛 下侧面 钝化 熔融 瞬态
【权利要求书】:

1.一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器,其特征在于:所述1064nm增强型四象限光电探测器包括N型衬底层(1)、P+区(2)、硅微结构层(3)、N+区(4)、钝化膜(5)、增透膜(6)、P电极(7)和N电极(8);所述P+区(2)形成在N型衬底层(1)上侧面的表层中,所述N+区(4)形成在N型衬底层(1)下侧面的表层中,所述硅微结构层(3)形成在N+区(4)的下侧面上;所述钝化膜(5)设置在硅微结构层(3)表面;所述增透膜(6)设置在P+区(2)表面;所述增透膜(6)上设置有P电极孔,P电极(7)通过P电极孔与P+区(2)接触;所述钝化膜(5)上设置有N电极孔,N电极(8)通过N电极孔与N+区(4)接触;所述硅微结构层(3)由N+区(4)表面在高浓度硫气氛中被飞秒激光脉冲瞬态熔融而得。

2.一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器的制作方法,其特征在于:所述方法包括:

1)提供N型衬底层(1);

2)在N型衬底层(1)的上侧面上生长氧化层;

3)在所述氧化层上光刻出有源区;

4)对有源区进行掺杂处理,形成P+区(2);

5)在N型衬底层(1)的上侧面上生长增透膜(6);

6)对N型衬底层(1)的下侧面进行减薄处理;

7)对N型衬底层(1)的下侧面进行掺杂处理,形成N+区(4);

8)在高浓度硫气氛中,采用飞秒激光脉冲对N+区(4)的下侧面进行扫描,使N+区(4)表面瞬态熔融,得到微结构层(3);

9)在微结构层(3)表面生长钝化膜(5);

10)在增透膜(6)和钝化膜(5)上分别光刻出P电极孔和N电极孔;

11)在P电极孔和N电极孔内分别制作出P电极(7)和N电极(8)。

3.根据权利要求2所述的制作1064nm增强型四象限光电探测器的方法,其特征在于:步骤7)中,飞秒激光脉冲的激光波长为800nm、脉冲宽度为100fs、频率为1kHz、功率为2W。

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