[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

对所述半导体衬底进行刻蚀，以形成隔离沟槽；

形成介质薄膜，所述介质薄膜覆盖所述隔离沟槽的内壁；

形成金属阻挡层，所述金属阻挡层覆盖所述介质薄膜；

形成拉应力层，所述拉应力层填充所述金属阻挡层包围的沟槽空间的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述拉应力层填充所述金属阻挡层包围的沟槽空间的全部。

3.根据权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：

刻蚀去除所述隔离沟槽内的拉应力层和金属阻挡层的一部分；

形成第一介质层，所述第一介质层填充所述隔离沟槽并覆盖所述拉应力层和金属阻挡层。

4.根据权利要求3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述拉应力层的材料为导电材料，所述方法还包括：

形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述半导体衬底和第一介质层表面；

对所述第二介质层和第一介质层进行刻蚀，以形成接触孔，所述接触孔的底部暴露出所述拉应力层；

在所述接触孔中填充插塞。

5.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述形成拉应力层包括：

在所述金属阻挡层包围的沟槽空间内填充金属层；

刻蚀去除所述金属层和金属阻挡层的一部分，刻蚀后的金属层表面具有凹陷；

形成拉应力层，所述拉应力层填充所述凹陷并覆盖所述凹陷以外的金属层表面。

6.根据权利要求5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：

刻蚀去除所述隔离沟槽内的拉应力层的一部分；

形成第三介质层，所述第三介质层填充所述隔离沟槽并覆盖所述拉应力层。

7.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述拉应力层的材料为导电材料，所述方法还包括：

形成第四介质层，所述第四介质层覆盖所述半导体衬底和第三介质层表面；

对所述第四介质层和第三介质层进行刻蚀，以形成接触孔，所述接触孔的底部暴露出所述拉应力层；

在所述接触孔中填充插塞。

8.根据权利要求1至7任一项所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述拉应力层的材料为硼掺杂的锗化硅。

9.根据权利要求1至7任一项所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述金属阻挡层的材料为氮化钛或氮化钽。

10.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

隔离沟槽，位于所述半导体衬底内；

介质薄膜，覆盖所述隔离沟槽的内壁；

金属阻挡层，覆盖所述介质薄膜；

拉应力层，填充所述金属阻挡层包围的沟槽空间的至少一部分。

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，所述拉应力层填充所述金属阻挡层包围的沟槽空间的全部。

12.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

第一介质层，填充所述隔离沟槽并覆盖所述拉应力层和金属阻挡层。

13.根据权利要求12所述的图像传感器，其特征在于，所述拉应力层的材料为导电材料，还包括：

第二介质层，覆盖所述半导体衬底和第一介质层表面；

接触孔，位于所述第二介质层和第一介质层内，且所述接触孔的底部暴露出所述拉应力层；

插塞，填充于所述接触孔中。