[发明专利]一种金属线栅偏振片、其制作方法、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种金属线栅偏振片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板母板的一侧依次形成金属层以及覆盖所述金属层的二氧化硅膜层；

采用光刻工艺对所述二氧化硅膜层进行构图，形成具有保留区与非保留区的二氧化硅膜层的图形；其中，所述保留区对应显示面板的面板区，所述非保留区用于暴露所述金属层；

采用纳米压印工艺对所述保留区中的二氧化硅膜层进行构图，使所述保留区中的二氧化硅膜层形成纳米线栅结构；其中，所述纳米线栅结构的间隙用于暴露所述金属层；

采用刻蚀工艺对与所述非保留区和所述纳米线栅结构的间隙对应区域的金属层进行刻蚀，使与所述保留区对应区域的金属层形成纳米线栅结构；

所述采用光刻工艺对所述二氧化硅膜层进行构图，具体包括：

在形成有所述金属层和二氧化硅膜层的衬底基板母板上形成第一光刻胶膜层；

对所述第一光刻胶膜层曝光、显影后，形成与所述保留区对应区域的第一光刻胶膜层的图形，暴露出所述非保留区中的二氧化硅膜层；

采用刻蚀工艺，仅去除所述非保留区中的二氧化硅膜层；

剥离与所述保留区对应区域的第一光刻胶膜层；

所述采用纳米压印工艺对所述保留区中的二氧化硅膜层进行构图，具体包括：

在形成有所述保留区中的二氧化硅膜层的衬底基板母板上形成第一压印胶膜层；

采用纳米压印软模版对所述第一压印胶膜层进行压印并进行紫外光照射，使所述第一压印胶膜层形成多个凹陷；其中，所述凹陷至少形成于与所述保留区对应区域中，且所述保留区对应区域中的凹陷对应所述纳米线栅结构的间隙；

采用刻蚀工艺，去除与所述凹陷对应区域的第一压印胶膜层与二氧化硅膜层，使所述保留区中的二氧化硅膜层形成纳米线栅结构；

去除所有第一压印胶膜层。

2.一种采用如权利要求1所述的制作方法制作的金属线栅偏振片，其特征在于，包括：衬底基板母板以及依次设置于所述衬底基板母板的保留区中的金属层与二氧化硅膜层；其中，所述金属层具有纳米线栅结构；

所述金属层在所述衬底基板母板的正投影与所述二氧化硅膜层在所述衬底基板母板的正投影重叠。

3.一种金属线栅偏振片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板母板的一侧形成金属层；

采用光刻工艺对所述金属层进行构图，形成具有保留区与非保留区的金属层的图形；其中，所述保留区对应显示面板的面板区，所述非保留区用于暴露所述衬底基板母板；

采用纳米压印工艺对所述保留区中的金属层进行构图，使所述保留区中的金属层形成纳米线栅结构；

所述采用光刻工艺对所述金属层进行构图，具体包括：

在形成有所述金属层的衬底基板母板上形成第二光刻胶膜层；

对所述第二光刻胶膜层曝光、显影后，形成与所述保留区对应区域的第二光刻胶膜层的图形，暴露出所述非保留区中的金属层；

采用刻蚀工艺，仅去除所述非保留区中的金属层；

剥离与所述保留区对应区域的第二光刻胶膜层；

所述采用纳米压印工艺对所述保留区中的金属层进行构图，具体包括：

在形成有所述保留区中的金属层的衬底基板母板上形成第二压印胶膜层：

采用纳米压印软模版对所述第二压印胶膜层进行压印并进行紫外光照射，使所述第二压印胶膜层形成多个凹陷；其中，所述凹陷至少形成于与所述保留区对应区域中，且所述保留区对应区域中的凹陷对应所述纳米线栅结构的间隙；

采用刻蚀工艺，去除与所述凹陷对应区域的第二压印胶膜层与金属层，使所述保留区中的金属层形成纳米线栅结构；

去除所有第二压印胶膜层。

4.一种采用如权利要求3所述的制作方法制作的金属线栅偏振片，其特征在于，包括：衬底基板母板以及设置于所述衬底基板母板的保留区中的金属层；其中，所述金属层具有纳米线栅结构。

5.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求2或4所述的金属线栅偏振片。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的显示面板。