[发明专利]扇出结构及其制造方法、显示面板有效
申请号: | 201810083800.2 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108258025B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 李云泽;杨妮;齐智坚;胡琪;刘剑峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张海强;王莉莉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
1.一种扇出结构,包括:用于连接驱动电路与显示区的多个扇出单元,其中:
每个扇出单元包括扇出线,
至少一部分扇出单元还包括与对应扇出线连接的电阻调节单元,所述电阻调节单元被配置为使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值;
其中:
所述电阻调节单元包括导电区域;
所述至少一部分扇出单元还包括在所述导电区域上的绝缘层,所述绝缘层具有使得所述导电区域的一部分露出的开口;
所述至少一部分扇出单元的扇出线包括在所述绝缘层上间隔开的第一部分和第二部分,所述第一部分覆盖所述开口底部的第一导电区域,所述第二部分覆盖所述开口底部的第二导电区域;
其中,所述第一导电区域和所述第二导电区域的尺寸和位置被配置为使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值。
2.根据权利要求1所述的扇出结构,其中,
所述开口包括第一过孔和第二过孔;
所述第一部分覆盖所述第一过孔底部的第一导电区域,所述第二部分覆盖所述第二过孔底部的第二导电区域。
3.根据权利要求1所述的扇出结构,其中,
所述导电区域包括掺杂的多晶硅。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的扇出结构,其中,
所述多个扇出单元包括扇出线的平均阻值最大的第一组扇出单元和除所述第一组扇出单元外的至少一个第二组扇出单元,所述至少一个第二组扇出单元中的每个扇出单元包括与对应扇出线连接的电阻调节单元。
5.根据权利要求4所述的扇出结构,其中,
每组扇出单元中任意两个扇出单元的扇出线之间的电阻差值小于第二阈值。
6.一种显示面板,包括如权利要求1-5任意一项所述的扇出结构。
7.一种扇出结构的制造方法,包括:
提供基底;以及
在所述基底上形成用于连接驱动电路与显示区的多个扇出单元,其中,每个扇出单元包括扇出线,至少一部分扇出单元还包括与对应扇出线连接的电阻调节单元,所述电阻调节单元被配置为使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值;
其中,所述在所述基底上形成多个扇出单元包括:
在所述基底上形成多个导电区域;
在每个导电区域上形成绝缘层,所述绝缘层具有使得对应导电区域的一部分露出的开口;
在所述绝缘层上形成扇出线,所述扇出线包括间隔开的第一部分和第二部分,所述第一部分覆盖所述开口底部的第一导电区域,所述第二部分覆盖所述开口底部的第二导电区域;
其中,在形成扇出线的步骤中,通过调整所述第一导电区域与所述第二导电区域的尺寸和位置,以使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,
所述开口包括第一过孔和第二过孔;
所述第一部分覆盖所述第一过孔底部的第一导电区域,所述第二部分覆盖所述第二过孔底部的第二导电区域。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,
所述导电区域包括掺杂的多晶硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的