[发明专利]软磁性合金及磁性部件有效
申请号: | 201810084132.5 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108376597B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 原田明洋;松元裕之;堀野贤治;吉留和宏;大塚翔太;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01F1/147 | 分类号: | H01F1/147;H01F1/153;C22C38/10;C22C38/06;C22C38/04;C22C38/12 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;尹明花 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 合金 部件 | ||
本发明涉及一种软磁性合金,其由主成分和副成分构成,主成分由组成式(Fe(1-(α+β))X1αX2β)(1-(a+b+c))MaBbPc构成,副成分至少包含C、S及Ti。X1为选自Co及Ni中的1种以上。X2为选自Al等各种元素中的1种以上。M为选自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W及V中的1种以上。0.020≦a≦0.14、0.020≦b≦0.20、0≦c≦0.040、α≧0、β≧0、0≦α+β≦0.50。C的含量为0.001wt%~0.050wt%、S的含量为0.001wt%~0.050wt%、Ti的含量为0.001wt%~0.080wt%,并且0.10≦C/S≦10。
技术领域
本发明涉及软磁性合金及磁性部件。
背景技术
近年来,在电子设备、信息设备、通信设备等中要求低耗电量及高效率。进一步,为了实现低碳化社会,对于上述的要求更为强烈。因此,在电子设备、信息设备、通信设备等的电源电路中,也要求降低能量损失或提高电源效率。而且,对用于电源电路的磁元件的磁芯,要求提高饱和磁通密度并降低磁芯损耗(磁芯损耗)、提高导磁率。如果降低磁芯损耗则电能的损耗就减小,如果提高导磁率则能够将磁性元件小型化,因此,能够实现高效和节能。
专利文献1中记载有Fe-B-M(M=Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W)系的软磁性非晶质合金。该软磁性非晶质合金与市售的非晶态铁相比,具有高的饱和磁通密度等,具有良好的软磁特性。
专利文献1:日本发明专利第3342767号
发明内容
此外,作为降低上述磁芯的磁芯损耗的方法,考虑降低构成磁芯的磁性体的矫顽力。
专利文献1公开了铁基软磁性合金通过使微晶相析出而能够提高软磁特性。但是,其中对于能够使微晶相稳定地析出的组成则未作充分的探讨。
本发明者们对能够使微晶相稳定地析出的组成进行了探讨。其结果发现,在与专利文献1所记载的组成不同的组成中,也能够使微晶相稳定地析出。
本发明的目的在于提供一种同时具有高的饱和磁通密度、低的矫顽力及高的导磁率μ′的软磁性合金等。
[用于解决课题的技术方案]
为了实现上述目的,本发明提供一种软磁性合金,其特征在于,该软磁性合金由主成分和副成分构成,主成分由组成式(Fe(1-(α+β))X1αX2β)(1-(a+b+c))MaBbPc构成,副成分至少包含C、S及Ti,
X1为选自Co及Ni中的1种以上,
X2为选自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi及稀土类元素中的1种以上,
M为选自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W及V中的1种以上,
0.020≦a≦0.14,
0.020≦b≦0.20,
0≦c≦0.040,
α≧0,
β≧0,
0≦α+β≦0.50,
在将所述软磁性合金的整体计为100wt%的情况下,
所述C的含量为0.001wt%~0.050wt%,所述S的含量为0.001wt%~0.050wt%,所述Ti的含量为0.001wt%~0.080wt%,
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