[发明专利]全背接触式异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种全背接触式异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

单晶硅片；

设置在所述单晶硅片的正面的第一本征非晶硅层；

设置在所述单晶硅片的背面的第二本征非晶硅层；

设置在所述第一本征非晶硅层上的减反射膜层；

设置在所述第二本征非晶硅层上的发射极和第一背场，所述发射极和所述第一背场之间绝缘设置；

设置在所述发射极上的第二背场，所述第二背场与所述第一背场之间绝缘设置；

设置在所述第一背场和所述第二背场上的电极。

2.根据权利要求1所述的全背接触式异质结太阳能电池，其特征在于，所述单晶硅片为N型单晶硅片。

3.根据权利要求1所述的全背接触式异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶硅层和所述第二本征非晶硅层均为本征非晶硅薄膜或本征非晶硅氧合金薄膜。

4.根据权利要求1所述的全背接触式异质结太阳能电池，其特征在于，所述电极为银栅电极或铜电极。

5.根据权利要求1所述的全背接触式异质结太阳能电池，其特征在于，所述发射极为P型非晶硅薄膜或P型微晶硅薄膜。

6.一种全背接触式异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在单晶硅片的正面形成第一本征非晶硅层；

在所述第一本征非晶硅层上形成减反射膜；

在所述单晶硅片的背面形成第二本征非晶硅层；

在所述第二本征非晶硅层上的第一区域内形成发射极；

在所述第二本征非晶硅层上的除所述第一区域以外的其它区域和所述发射极上形成背场；

将所述第一区域上的所述发射极以及所述发射极上的背场与除所述第一区域以外的其它区域上的背场绝缘；

在所述背场上形成电极。

7.根据权利要求6所述的全背接触式异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，在所述第二本征非晶硅层上的第一区域内形成发射极之前还包括：

对所述第二本征非晶硅层上的除第一区域以外的其它区域进行掩膜。

8.根据权利要求6所述的全背接触式异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相沉积法或热丝化学气相沉积法形成所述第一本征非晶硅层、所述第二本征非晶硅层、所述减反射膜以及所述发射极。

9.根据权利要求6所述的全背接触式异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，将所述第一区域上的所述发射极以及所述发射极上的背场与除所述第一区域以外的其它区域上的所述背场绝缘具体包括：

在所述背场上形成沟槽，以将所述第一区域上的所述发射极以及所述发射极上的背场与除所述第一区域以外的其它区域上的背场绝缘。

10.根据权利要求9所述的全背接触式异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，在所述背场上形成沟槽，以将所述第一区域上的所述发射极以及所述发射极上的背场与除所述第一区域以外的其它区域上的背场绝缘具体包括：

通过机械刻划或激光刻划的方式在所述背场上形成沟槽。

11.根据权利要求9所述的全背接触式异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，在所述第二本征非晶硅层上的除所述第一区域以外的其它区域和所述发射极上形成背场之前还包括：

对所述第二本征非晶硅层上的除所述第一区域以外的其它区域中的设定区域进行掩膜，以将所述第一区域和除所述第一区域以外的其它区域中的待形成背场的区域分离。