[发明专利]具有冗余方案的发光二极管显示器和利用集成的缺陷检测测试制造发光二极管显示器的方法有效
申请号: | 201810084955.8 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN108133942B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | A·比布尔;K·V·萨卡里亚;C·R·格里格斯;J·M·珀金斯 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L21/60;H01L25/075 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 冗余 方案 发光二极管 显示器 利用 集成 缺陷 检测 测试 制造 方法 | ||
本发明描述了一种显示器面板及其制造方法。在一个实施例中,显示器衬底包括像素区域和非像素区域。子像素的阵列和对应的底部电极的阵列在像素区域中。微型LED器件的阵列键合到底部电极的阵列。与微型LED器件的阵列电接触的一个或多个顶部电极层被形成。在一个实施例中,一对冗余微型LED器件键合到底部电极的阵列。在一个实施例中,微型LED器件的阵列被成像以检测不规则部件。
分案申请说明
本申请是于2015年9月14日进入中国国家阶段的、中国国家申请号为201480015005.X、国际申请号为PCT/US2014/021259、名称为“具有冗余方案的发光二极管显示器和利用集成的缺陷检测测试来制造发光二极管显示器的方法”的PCT申请的分案申请。
技术领域
本发明的实施例涉及显示器系统。更具体地,本发明的实施例涉及结合微型发光二极管的显示器系统。
背景技术
平板显示器在广泛的电子设备范围中正越来越受欢迎。常见类型的平板显示器包括有源矩阵显示器和无源矩阵显示器。有源矩阵显示器面板中的每个像素由有源驱动电路来驱动,而无源矩阵显示器面板中的每个像素不使用此类驱动电路。高分辨率彩色显示器面板(诸如现代计算机显示器、智能电话和电视机)通常使用有源矩阵显示器面板结构,以实现更好的图像质量。
正在寻求商业应用的一种类型的显示器面板是有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器面板。图1是顶部发光AMOLED显示器面板的顶视图图示。图2是沿像素区域104中的线X-X和与非像素区域中的接地环116交叉的线Y-Y截取的图1的横截面侧视图图示,该非像素区域是衬底102上的不在像素区域104内的任何区域。在图1和图2中所示的AMOLED显示器面板100通常包括支撑像素区域104和像素区域104之外的非像素区域的薄膜晶体管(TFT)衬底102。TFT衬底102也被称为背板。已被进一步处理以另外包括像素区域和非像素区域的TFT衬底常常也被称为背板。在AMOLED中使用的两种主要TFT衬底技术包括多晶硅(poly-Si)和非晶硅(a-Si)。这些技术提供了在低温(低于200℃)下将有源矩阵背板直接制造到柔性塑料衬底上以用于制造柔性AMOLED显示器的可能性。像素区域104通常包括布置成矩阵的像素106和子像素108、以及连接到每个子像素以用于驱动和切换子像素的一组TFT和电容器。非像素区域通常包括连接到每个子像素的数据线以使得数据信号(V数据)能够被传输到子像素的数据驱动电路110、连接到子像素的扫描线以使得扫描信号(Vscan)能够被传输到子像素的扫描驱动电路112、将电力信号(Vdd)传输到TFT的电源线114、以及将接地信号(Vss)传输到子像素的阵列的接地环116。如图所示,数据驱动电路、扫描驱动电路、电源线、和接地环都连接到柔性电路板(FCB)113,该FCB包括用于向电源线114提供电力的电源以及电连接到接地环116的电源接地线。
在示例性AMOLED背板配置中,有机薄膜120和顶部电极118被沉积在像素区域104中的每个子像素108上方。有机薄膜120可包括多个层,诸如空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、和电子注入层。有机薄膜120的所述多个层通常形成在整个像素区域104上方,然而,发光层常常借助于阴影掩模而只被沉积在子像素开口127内以及与子像素108的阵列的发射区域对应的底部电极层124上。顶部电极层118然后在像素区域104和非像素区域两者内被沉积在有机薄膜上方,使得顶部电极118层与接地环116重叠,以便将接地信号转移到子像素的阵列。这样,每个子像素108可在均匀的接地信号被提供到像素区域104的顶部时利用对应的下面的TFT电路独立地进行寻址。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的