[发明专利]显示设备有效
申请号: | 201810085019.9 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108511458B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 林小郎;乐瑞仁;李冠锋;陈嘉源 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L33/50 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,其特征在于,包括:
一显示单元,其包括:
一发光单元;以及
一光转换层,设置于该发光单元上;
其中该显示单元在一最高灰阶的操作下具有一出射光,该出射光具有一出射光谱,且该出射光谱在380纳米至489纳米范围的强度积分值定义为一第一强度积分,该出射光谱在490纳米至780纳米范围的强度积分值定义为一第二强度积分,该第一强度积分对该第二强度积分的比值定义为一第一比值,且该第一比值大于0%且小于或等于7.5%。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其特征在于,该出射光谱包括一第一强度峰值和一第二强度峰值,该第一强度峰值是该出射光谱在380纳米至489纳米范围的最大峰值,该第二强度峰值是该出射光谱在490纳米至780纳米范围的最大峰值,该第一强度峰值对该第二强度峰值的比值定义为一第二比值,且该第二比值大于0%且小于或等于10.0%。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其特征在于,该光转换层包括一量子点材料、一荧光材料、一磷光材料或一色素材料。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其特征在于,该光转换层包括一第一光转换部和一第二光转换部,该第二光转换部设置在该第一光转换部上,该第一光转换部包括一量子点材料,该第二光转换部包括至少一色素材料。
5.一种显示设备,其特征在于,包括:
一背光单元;
一光调变层,设置在该背光单元上;
一光转换层,设置在该背光单元上;以及
一第一偏光层,设置在该光调变层和该光转换层之间;
其中该背光单元的至少一部分、该光调变层的至少一部分、该光转换层的至少一部分以及该第一偏光层的至少一部分构成一显示单元,该显示单元在一最高灰阶的操作下具有一出射光,该出射光具有一出射光谱,该出射光谱在380纳米至489纳米范围的强度积分值定义为一第一强度积分,该出射光谱在490纳米至780纳米范围的强度积分值定义为一第二强度积分,且该第一强度积分对该第二强度积分的比值定义为一第一比值,该第一比值大于0%且小于或等于7.5%。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其特征在于,该出射光谱包括一第一强度峰值和一第二强度峰值,该第一强度峰值是该出射光谱在380纳米至489纳米范围的最大峰值,该第二强度峰值是该出射光谱在490纳米至780纳米范围的最大峰值,该第一强度峰值对该第二强度峰值的比值定义为一第二比值,且该第二比值大于0%且小于或等于10.0%。
7.根据权利要求5所述的显示设备,其特征在于,还包括一第二偏光层,且该光调变层设置在该第一偏光层和该第二偏光层之间。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其特征在于,该光调变层设置在该背光单元和该光转换层之间。
9.根据权利要求7所述的显示设备,其特征在于,该光转换层设置在该背光单元和该光调变层之间。
10.根据权利要求5所述的显示设备,其特征在于,该光转换层包括一量子点材料、一荧光材料、一磷光材料或一色素材料。
11.根据权利要求5所述的显示设备,其特征在于,该光转换层包括一第一光转换部以及一第二光转换部,该第二光转换部设置在该第一光转换部上,该第一光转换部包括一量子点材料,且该第二光转换部包括至少一色素材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的