[发明专利]一种存储单元结构及存储器在审
| 申请号： | 201810085161.3 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108461497A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张超然;李赟;周俊;罗清威 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制栅 保护层 存储单元结构 依次设置 氮化层 氧化层 衬底 存储单元读取 存储器性能 栅极介电层 存储器 均匀性 浮栅 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：衬底、依次设置在所述衬底上的浮栅、栅极介电层和控制栅，所述控制栅上设置有保护层，所述保护层包括依次设置于所述控制栅之上的氧化层和氮化层。
2.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述保护层的厚度范围为
3.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述保护层的厚度为
4.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述氮化层的厚度大于
5.根据权利要求3所述的存储单元结构，其特征在于，所述氮化层的材质为氮化硅。
6.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述氧化层的材质为氧化硅。
7.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述存储单元结构还包括活性炭层，所述活性炭层位于所述保护层之上，所述活性炭层的厚度范围为
8.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述存储单元结构还包括隧穿氧化层，所述隧穿氧化层位于所述浮栅和所述衬底之间。
9.一种存储器，其特征在于，包含如权利要求1-8任一项所述的存储单元结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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