[发明专利]遮挡压盘组件、半导体加工装置和方法

权利要求书

1.一种遮挡压盘组件，包括：

遮挡压盘，所述遮挡压盘面向基座的一侧包括边缘部；以及

移动部件，用于使所述遮挡压盘在第一位置和第二位置之间移动；

其中，在所述第一位置时，所述边缘部可与所述基座承载的待加工件的边缘区域接触，且所述遮挡压盘在所述基座的支撑面上的投影完全覆盖所述待加工件在所述基座的支撑面上的投影；在所述第二位置时，在垂直于所述基座的支撑面的方向上，所述遮挡压盘与所述基座的支撑面不重叠；

所述移动部件包括：

旋转轴；

旋转臂，与所述旋转轴相连，被配置为在所述旋转轴的驱动下围绕所述旋转轴旋转，所述遮挡压盘连接到所述旋转臂面向所述基座的一侧，

所述旋转臂上设有竖直贯通的定位孔，所述遮挡压盘背离所述基座的一侧依次设置有连接部和定位部，所述定位部与所述定位孔配合，使所述遮挡压盘可吊挂在所述旋转臂上。

2.根据权利要求1所述的遮挡压盘组件，其中，所述遮挡压盘与所述移动部件活动连接，使得所述遮挡压盘能沿垂直于所述基座的支撑面的方向相对所述移动部件移动。

3.根据权利要求1所述的遮挡压盘组件，其中，所述定位孔被配置为其内径从上到下逐渐减小，所述定位部的形状与所述定位孔的形状相配合，所述连接部的外径不大于所述定位孔的最小内径。

4.根据权利要求3所述的遮挡压盘组件，其中，所述定位孔为圆台形孔，所述定位部为与所述定位孔配合的圆台形，所述连接部为圆柱形。

5.根据权利要求1所述的遮挡压盘组件，其中，所述边缘部被配置为沿所述遮挡压盘的边缘周向分布的突出部，所述突出部朝向所述基座突出。

6.根据权利要求5所述的遮挡压盘组件，其中，所述突出部被配置为沿所述遮挡压盘的周向连续设置。

7.根据权利要求5所述的遮挡压盘组件，其中，所述突出部被配置为沿所述遮挡压盘的周向间断设置。

8.一种半导体加工装置，包括腔室，所述腔室包括所述基座和如权利要求1-7任一项所述的遮挡压盘组件；

所述基座内设有背吹管路，所述背吹管路被配置为通入背吹气体；

所述基座具有所述支撑面，所述支撑面被配置为支撑所述待加工件，所述基座被配置为可沿垂直于所述支撑面的方向移动。

9.根据权利要求8所述的半导体加工装置，其中，所述遮挡压盘在第二位置时，所述支撑面上的所述待加工件背离所述基座的整个表面暴露于所述腔室的工艺环境。

10.一种半导体加工方法，采用如权利要求8所述的半导体加工装置，包括工艺处理步骤和冷却步骤，其中，

所述工艺处理步骤包括：使所述遮挡压盘保持在所述第二位置，对所述待加工件的整个表面进行工艺处理；

所述冷却步骤包括：停止工艺处理，将所述遮挡压盘从所述第二位置移动到所述第一位置，并使所述边缘部与所述基座承载的待加工件的边缘区域接触，对所述待加工件进行背吹冷却。

11.根据权利要求10所述的半导体加工方法，其中，所述冷却步骤中将所述遮挡压盘从所述第二位置移动到所述第一位置之后，进一步包括：控制所述基座的升降高度，当所述边缘部接触所述待加工件的边缘后，继续升高所述基座，使所述遮挡压盘相对所述移动部件向上移动。

12.根据权利要求10所述的半导体加工方法，其中，所述工艺处理包括物理气相沉积工艺。