[发明专利]一种单晶掺镓背钝化太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种单晶掺镓背钝化太阳电池，其特征在于，由正面至背面依次包括：正面电极(6)、正面减反射膜/钝化膜(3)、发射极(2)、单晶掺镓硅基底(1)、背面钝化膜(4)和背面电极；所述的背面电极包括铝电极(5)和背面银电极(7)。

2.根据权利要求1所述的一种单晶掺镓太阳电池，其特征在于，所述的单晶掺镓硅基底(1)中镓元素的掺杂浓度为1×10¹³～1×10¹⁷个原子/立方厘米。

3.根据权利要求1所述的一种单晶掺镓背钝化太阳电池，其特征在于，所述的单晶掺镓硅基底(1)还掺杂有硼元素，硼元素的掺杂浓度为1×10¹³～1×10¹⁷个原子/立方厘米。

4.根据权利要求1所述的一种单晶掺镓背钝化太阳电池，其特征在于，所述的正面电极(6)是由导电材料通过烧结局部或全部穿透正面减反射膜/钝化膜(3)或通过在正面减反射膜/钝化膜(3)上的局部开膜区域与发射极(2)形成直接接触。

5.根据权利要求1所述的一种单晶掺镓背钝化太阳电池，其特征在于，所述的背面钝化膜(4)开设有局部开膜区域(8)，铝电极(5)通过局部开膜区域(8)与单晶掺镓硅基底(1)的背面形成接触。

6.根据权利要求6所述的一种单晶掺镓背钝化太阳电池，其特征在于，所述的铝电极(5)和单晶掺镓硅基底(1)之间包括一层掺杂成分为铝的空穴掺杂层，所述空穴掺杂层的厚度为1～15um。

7.根据权利要求6所述的一种单晶掺镓背钝化太阳电池，其特征在于，所述的空穴掺杂层中还掺杂有硼，硼元素掺杂浓度为5×10¹⁶～1×10²¹个原子/立方厘米。

8.根据权利要求7所述的一种单晶掺镓背钝化太阳电池，其特征在于，所述的空穴掺杂层和铝电极(5)之间还包括一层铝硅合金层，铝硅合金层厚度为1～5um。

9.根据权利要求1所述的一种单晶掺镓背钝化太阳电池，其特征在于，所述的正面减反射膜/钝化膜(3)为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝和碳化硅薄膜中的一种或多种叠层构成；正面减反射膜/钝化膜(3)的折射率为1.5～2.5，厚度50～100nm。

10.一种权利要求1至9任意一项所述的单晶掺镓背钝化太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)对单晶掺镓硅基底(1)进行表面织构化及清洗；

2)在单晶掺镓硅基底(1)正面进行制备发射极(2)；

3)对单晶掺镓硅基底(1)进行边缘绝缘处理；

4)对单晶掺镓硅基底(1)正背面分别进行正面减反射膜/钝化膜(3)和背面钝化膜(4)的制备；

5)在背面钝化膜(4)上进行局域开膜；

6)在对单晶掺镓硅基底(1)正面、背面进行导电浆料图形化涂布；

7)进行金属化热处理过程分别制备正面电极(6)和背面电极。