[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：衬底；形成在衬底上的多个滤色元件，每个滤色元件用于允许特定波长的光通过；以及形成在相邻两个滤色元件之间的隔离结构，用于防止光在滤色元件之间串扰；其中，隔离结构包括光吸收结构。

技术领域

本公开涉及半导体领域，具体来说，涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

图像传感器可用于对辐射(例如，光辐射，包括但不限于可见光、红外线、紫外线等)进行感测，从而生成对应的电信号(成像)。图像传感器当前被广泛地应用在数码相机、安保设施或其他成像设备中。

对于图像传感器而言，成像质量是重要的性能指标。当不期望的辐射进入感测区域时，会影响成像质量。特别地，如果不期望的辐射强度较大，例如形成耀斑(flare)，则可能对图像质量产生较严重的不利影响。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种新颖的半导体装置及其制造方法，特别地，涉及改善图像传感器的成像质量。

根据本公开的第一方面，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底；形成在衬底上的多个滤色元件，每个滤色元件用于允许特定波长的光通过；以及形成在相邻两个滤色元件之间的隔离结构，用于防止光在滤色元件之间串扰；其中，隔离结构包括光吸收结构。

根据本公开的第二方面，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：提供衬底；在衬底之上形成隔离结构；在衬底之上形成多个滤色元件，每个滤色元件用于允许特定波长的光通过；其中隔离结构布置在相邻两个滤色元件之间，用于防止光在滤色元件之间串扰，以及隔离结构包括光吸收结构。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1A是示出采用根据现有技术的图像传感器的成像模块的示意性截面图。

图1B是示出采用根据现有技术的图像传感器的成像模块的示意性截面图。

图2是示出根据本公开一个实施例的半导体装置的示意性截面图。

图3是示出根据本公开另一个实施例的半导体装置的示意性截面图

图4是示出根据本公开一个实施例的半导体装置的制造方法的流程图。

图5A至图5E是示出与图4所示的方法的部分步骤对应的半导体装置的示意性截面图。

图6A至图6C是示出与图4所示的方法的部分步骤对应的半导体装置的示意性截面图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

本申请的发明人认识到，传统的图像传感器在成像质量方面面临较大挑战。

图1A、图1B例示了采用根据现有技术的图像传感器101的成像模块100的示意性截面图。