[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法

说明书

本公开涉及一种图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有光电二极管；金属互连层，所述金属互连层位于所述半导体衬底之上；以及吸收层，所述吸收层位于所述半导体衬底与所述金属互连层之间，其中，所述吸收层能够吸收经过所述半导体衬底的光。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能够降低图像传感器中光电二极管之间的光的串扰。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种图像传感器及形成图像传感器的方法。

背景技术

在现有技术的图像传感器中，在邻近的光电二极管中存在光的串扰。

因此，存在对新技术的需求。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种新型的图像传感器及形成图像传感器的方法。

根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有光电二极管；金属互连层，所述金属互连层位于所述半导体衬底之上；以及吸收层，所述吸收层位于所述半导体衬底与所述金属互连层之间，其中，所述吸收层能够吸收经过所述半导体衬底的光。

根据本公开的第二方面，提供了一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底之上形成吸收层，所述半导体衬底中形成有光电二极管；以及在所述吸收层之上形成金属互连层，其中，所述吸收层能够吸收经过所述半导体衬底的光。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示意性地示出现有技术的图像传感器的结构的示意图。

图2是示意性地示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的结构的示意图。

图3是示意性地示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的结构的示意图。

图4是示意性地示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的结构的示意图。

图5是示意性地示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的结构的示意图。

图6是示意性地示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的结构的示意图。

图7A至7F是分别以部分步骤处的图像传感器的截面示意图的形式示意性地示出根据本公开的一些实施例的形成图像传感器的方法的示意图。

图8是示意性地示出根据本公开的一些实施例的形成图像传感器的方法的流程示意图。

图9A至9B是分别以部分步骤处的图像传感器的截面示意图的形式示意性地示出根据本公开的一些实施例的形成图像传感器的方法的示意图。

图10是示意性地示出根据本公开的一些实施例的形成图像传感器的方法的流程示意图。

图11A至11B是分别以部分步骤处的图像传感器的截面示意图的形式示意性地示出根据本公开的一些实施例的形成图像传感器的方法的示意图。

图12是示意性地示出根据本公开的一些实施例的形成图像传感器的方法的流程示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。