[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中形成有各像素单元的光电二极管和浮置扩散区；

第一晶体管层，所述第一晶体管层位于所述半导体衬底之上，所述第一晶体管层中形成有第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的栅极用于控制将所述光电二极管中的电荷传输到所述浮置扩散区中；以及

第二晶体管层，所述第二晶体管层位于所述第一晶体管层之上，所述第二晶体管层中形成有第二晶体管，

其中，所述第一晶体管层与所述第二晶体管层为不同的层。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二晶体管为像素单元输出电路中的一个或多个晶体管，所述像素单元输出电路为用于将所述像素单元的所述浮置扩散区中的电荷输出的电路。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第二晶体管耦接到所述浮置扩散区，从而将所述浮置扩散区中的电荷输出。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

金属互连层，所述金属互连层位于所述第一晶体管层和所述第二晶体管层之间。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述第二晶体管通过所述金属互连层耦接到所述浮置扩散区，从而将所述浮置扩散区中的电荷输出。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二晶体管层包括：

半导体材料层，所述半导体材料层中形成有所述第二晶体管的源极区和漏极区，所述半导体材料层之上形成有所述第二晶体管的栅极，

其中，所述半导体材料层和/或所述第二晶体管的栅极中的栅电极由非晶半导体材料形成。

7.一种形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：

在所述半导体衬底之上形成第一晶体管层，其中，所述半导体衬底中形成有各像素单元的光电二极管和浮置扩散区，所述第一晶体管层中形成有第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的栅极用于控制将所述光电二极管中的电荷传输到所述浮置扩散区中；以及

在所述第一晶体管层之上形成第二晶体管层，其中，所述第二晶体管层中形成有第二晶体管。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二晶体管为像素单元输出电路中的一个或多个晶体管，所述像素单元输出电路为用于将所述像素单元的所述浮置扩散区中的电荷输出的电路。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成所述第二晶体管层之后，将所述第二晶体管耦接到所述浮置扩散区。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第一晶体管层之上形成第二晶体管层包括：

在所述第一晶体管层之上形成金属互连层；以及

在所述金属互连层之上形成所述第二晶体管层。