[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810086146.0 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108288627A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 感测单元 半导体装置 隔离单元 方向偏离 衬底 制造 隔离 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
衬底；
多个感测单元；以及
形成在相邻两个感测单元之间的隔离单元，
其中，在绿色感测单元和相邻的其它颜色的感测单元之间的隔离单元中的至少一个被布置成至少部分地从均匀隔离以上两个感测单元的中间位置朝着远离所述绿色感测单元的方向偏离。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述隔离单元中的至少一个被布置成包括位于所述中间位置的保持部分和从所述中间位置朝着远离所述绿色感测单元的方向偏离的凸出部分。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
所述隔离单元中的至少一个被布置成包括分别位于所述中间位置的第一保持部分和第二保持部分，以及位于第一保持部分和第二保持部分之间并且从所述中间位置朝着远离所述绿色感测单元的方向偏离的凸出部分。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述隔离单元中的至少一个被布置成整体从所述中间位置朝着远离所述绿色感测单元的方向偏离。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
至少一个绿色感测单元的能够接收辐射的有效面积大于其他颜色的感测单元的能够接收辐射的有效面积。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述感测单元包括形成在所述衬底中的感光区域以及与所述感光区域对应地形成在所述衬底上的滤色元件。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：
所述隔离单元包括形成在相邻两个感光区域之间的感光隔离元件和形成在相邻两个滤色元件之间的滤色隔离元件中的至少一个。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：
所述感光隔离元件包括深沟槽隔离结构。
9.根据权利要求1-4所述的半导体装置，其特征在于：
能够以2×2阵列的形式对所述感测单元进行分组，并且，
分组得到的每一组的感测单元按照拜尔图案布置。
10.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体装置包括图像传感器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
