[发明专利]一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线

权利要求书

1.一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线，其特征在于：包括两个对称分布的十字架，所述十字架的材质为硅，两个十字架之间的距离D为5nm；所述十字架的截面尺寸中横杆长度L1为200nm，纵杆长度L2为150nm，横杆宽度W1为60nm，纵杆宽度W2为90nm，厚度H为90 nm；所述单向性光学纳米天线的背景折射率为常数1，十字架二聚体在外场的激发下，产生局域表面等离子体共振现象；所述单向性光学纳米天线的入射光为平面波，波矢平行于x轴方向，x轴沿横杆长度方向，偏振平行于y轴方向， y轴沿纵杆长度方向。

2.根据权利要求1所述的一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线，其特征在于：所述单向性光学纳米天线支持电偶极、电四极共振和磁偶极、磁四极共振中的任意一种。