[发明专利]多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法有效
| 申请号： | 201810087211.1 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108193171B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 周东平 | 申请（专利权）人： | 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/02;C23C14/04;G02B5/00;G02B5/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区娄*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属膜层 黑铬 光隔离结构 集成滤光片 多通道 腐蚀处理 剩余反射率 消光层 镀制 粗糙 光学透过性能 工作性能 光学薄膜 化学腐蚀 基片表面 使用寿命 有效实现 漫反射 氧化物 制造 隔离 | ||
1.一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在基片上设置掩膜层，以使基片上仅有需设置光隔离结构的表面露出；
其中，所述基片选自玻璃、石英、蓝宝石、硫化锌、硒化锌光学材料中的一种；
S2、对基片的露出表面进行化学腐蚀处理，以形成粗糙的腐蚀处理面；
其中，使用氢氟酸溶液或氢氟酸蒸汽对基片的露出表面进行化学腐蚀处理；
S3、取出基片，清洗干净，并除去掩膜层；
S4、使用机械掩膜夹具夹持清洗干净的基片，以使基片上仅有腐蚀处理面露出；
S5、将机械掩膜夹具和基片一起放入镀膜工件载盘，再装入真空镀膜系统；
S6、在腐蚀处理面上镀制黑铬金属膜层；
S7、在黑铬金属膜层上镀制第一氧化铬膜层；
S8、在第一氧化铬膜层上镀制第一二氧化硅膜层；
S9、在第一二氧化硅膜层上镀制第二氧化铬膜层；
S10、在第二氧化铬膜层上镀制第二二氧化硅膜层即得光隔离结构；
其中，所述黑铬金属膜层的厚度为200-500纳米，所述第一氧化铬膜层的厚度为45-50纳米，所述第一二氧化硅膜层的厚度为200-220纳米，所述第二氧化铬膜层的厚度为120-140纳米，所述第二二氧化硅膜层的厚度为85-95纳米。
2.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S6至步骤S10中采用精度为1纳米的石英晶体振荡膜层厚度控制仪控制黑铬金属膜层、第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层的厚度。
3.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S7至步骤S10中采用氧气离子辅助镀膜工艺辅助镀制第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层。
4.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S6的实施温度为室温至100摄氏度，步骤S7至步骤S10的实施温度为150摄氏度至300摄氏度。
5.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S6的实施真空压强不大于1x10-3Pa，步骤S7至步骤S10的实施真空压强不大于3x10-2Pa。
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