[发明专利]多通道集成滤光片的漫反射光隔离结构及其制造方法

权利要求书

1.一种多通道集成滤光片的漫反射光隔离结构，其特征在于，包括设置在基片表面的喷砂处理面，所述喷砂处理面的分布区域与多通道集成滤光片通道间的空白区域相对应；

黑铬金属膜层，所述黑铬金属膜层设置在所述喷砂处理面上，以阻止光线通过；

还包括消光层，所述消光层由第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层组成，所述第一氧化铬膜层设置在所述黑铬金属膜层上，所述第一二氧化硅膜层设置在所述第一氧化铬膜层上，所述第二氧化铬膜层设置在所述第一二氧化硅膜层上，所述第二二氧化硅膜层设置在所述第二氧化铬膜层上。

2.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片的漫反射光隔离结构，其特征在于，所述黑铬金属膜层的厚度为200-500纳米，所述第一氧化铬膜层的厚度为45-50纳米，所述第一二氧化硅膜层的厚度为200-220纳米，所述第二氧化铬膜层的厚度为120-140纳米，所述第二二氧化硅膜层的厚度为85-95纳米。

3.一种多通道集成滤光片的漫反射光隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在基片上设置掩膜层，以使基片上仅有需设置光隔离结构的表面露出；

S2、对基片的露出表面进行喷砂处理，以形成喷砂处理面；

S3、取出基片，并除去掩膜层，清洗干净；

S4、使用机械掩膜夹具夹持清洗干净的基片，以使基片上仅有喷砂处理面露出；

S5、将机械掩膜夹具和基片一起放入镀膜工件载盘，再装入真空镀膜系统；

S6、在喷砂处理面上镀制黑铬金属膜层；

S7、在黑铬金属膜层上镀制第一氧化铬膜层；

S8、在第一氧化铬膜层上镀制第一二氧化硅膜层；

S9、在第一二氧化硅膜层上镀制第二氧化铬膜层；

S10、在第二氧化铬膜层上镀制第二二氧化硅膜层即得光隔离结构。

4.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的漫反射光隔离结构的制造方法，其特征在于，所述基片选自玻璃、石英、蓝宝石、硫化锌、硒化锌光学材料中的一种。

5.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的漫反射光隔离结构的制造方法，其特征在于，所述黑铬金属膜层的厚度为200-500纳米，所述第一氧化铬膜层的厚度为45-50纳米，所述第一二氧化硅膜层的厚度为200-220纳米，所述第二氧化铬膜层的厚度为120-140纳米，所述第二二氧化硅膜层的厚度为85-95纳米。

6.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的漫反射光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S2中使用压力为0.2-0.6MPa/cm2的压缩空气，沙粒为1000目的石英砂或棕刚玉砂，对基片的露出表面进行喷砂处理，持续时间30-60秒。

7.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的漫反射光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S6至步骤S10中采用精度为1纳米的石英晶体振荡膜层厚度控制仪控制黑铬金属膜层、第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层的厚度。

8.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的漫反射光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S7至步骤S10中采用氧气离子辅助镀膜工艺辅助镀制第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层。

9.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的漫反射光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S6的实施温度为室温至100摄氏度，步骤S7至步骤S10的实施温度为150摄氏度至300摄氏度。

10.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的漫反射光隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S6的实施真空压强不大于1x10-3Pa，步骤S7至步骤S10的实施真空压强不大于3x10-2Pa。