[发明专利]一种小尺寸高稳定性的Cs4PbBr6钙钛矿纳米晶的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810087305.9 申请日: 2018-01-30
公开(公告)号: CN108002430B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 李军;耿敬;解仁国;张颖;杨文胜 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C01G21/16 分类号: C01G21/16;B82Y40/00
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 王恩远
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 尺寸 稳定性 cs4pbbr base sub
【说明书】:

发明的一种小尺寸高稳定性的Cs4PbBr6钙钛矿纳米晶的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域,首先将羧酸铯溶液在140℃~200℃下注入到N2保护的溴化铅溶液中进行反应,合成尺寸为3.8nm~11.8nm的CsPbBr3钙钛矿纳米块,然后将此CsPbBr3纳米块进行纯化处理后用十八烯进行分散,升温至25℃~120℃后,注入溴化胺溶液,反应3~8分钟后进行离心纯化处理,得到Cs4PbBr6纳米粒子。本发明具有操作简单、步骤简易、反应迅速、原料易得等特点,制备的Cs4PbBr6粒子尺寸均一,形貌规则,稳定性良好,其储备液在空气中放置一个月的时间,粒子仍能保持不变。

技术领域

本发明属于半导体纳米材料制备技术领域,具体涉及一种小尺寸、高稳定性的Cs4PbX6钙钛矿纳米晶的合成方法。

背景技术

纳米科技作为一门新兴学科,在经历了三十余年的发展后,已经从科学家们的美好构想变为了能实实在在造福人类的技术。而半导体纳米材料一直都是纳米材料研究领域的热点。半导体纳米晶的独特之处在于其尺寸范围限定在1~100 nm之间,当半导体材料的尺寸从宏观体相减小至纳米尺度时,其能带结构将发生变化,相应的一些独特的物理化学性质也随之出现。比如量子尺寸效应、表面效应、小尺寸效应、宏观量子隧道效应等。

近几年来,有机无机混合卤化铅钙钛矿材料MAPbX3(MA=CH3NH3,X=Cl,Br, I)由于其优异的光电性能进入人们的视野并受到广泛关注。这种材料在光伏器件应用方面具有优异表现,同时又兼备成本低廉、制备工艺简单等一系列优点,一时间成为太阳能电池研究领域的热点。在有机无机混合的钙钛矿材料备受关注的同时,纯无机组分的钙钛矿也逐渐走入人们的视线。2015年,Maksym V. Kovalenko课题组首创性地使用胶体法合成出了CsPbX3纳米晶。该篇报道中,研究人员使用高温热注入的方法可以得到3.8nm~11.8nm的CsPbX3纳米块,且其发光范围可覆盖整个可见光区,发光纯度高,发光效率高达50%-90%。

除CsPbX3组分的钙钛矿结构外,研究人员在研究过程中还发现了Cs4PbX6组分的钙钛矿结构。相比于已经被人们所广泛研究和熟知的APbX3(A=Cs+, CH3NH3+;X=Cl-,Br-,I-),对于Cs4PbX6的研究非常有限。

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