[发明专利]驱动电路有效
申请号: | 201810087311.4 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN109547008B | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 泷田贵之;三轮亮太;清野贵文 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;H03K17/687 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 庞乃媛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 电路 | ||
本发明的实施方式提供一种驱动电路,能够向高端晶体管的栅极供给更稳定的栅极信号,能够稳定地输出用于驱动负载装置的高压侧输出信号。实施方式的驱动电路(1)具有第一电平移位电路(11)、第二电平移位电路(21)、前置驱动器(51)以及高端晶体管(61)。第一电平移位电路(11)输出第一开关信号。电平移位电路(21)输出第二开关信号。前置驱动器(51)具有根据第一开关信号进行开关的第一开关部(Sw1)、以及根据第二开关信号输出栅极信号(G1)的第二开关部(Sw2)。高端晶体管(61)通过根据栅极信号(G1)供给的第二电源电压(HVss)将高压侧输出信号向输出端子(Vout)输出。
相关申请:本申请享受以日本专利申请2017-181532号(申请日:2017年9月21日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种驱动电路。
背景技术
以往,设置在驱动负载装置的驱动电路中的内部浮动电源,为了抑制由开关产生的噪声的影响,有时由源极跟随电路构成。当增大晶体管的尺寸,以使源极跟随电路的电力供给能力提高时,有时漏极源极间的电流量因在栅极漏极间产生的寄生电容而变化,使由n型的DMOS等高耐压晶体管构成的高端晶体管的栅极的驱动电压不稳定。当栅极的驱动电压变得不稳定时,高端晶体管不能够稳定地输出用于驱动负载装置的高压侧输出信号。
发明内容
实施方式提供一种驱动电路,能够向高端晶体管(英文:highside transistor)的栅极供给更稳定的栅极信号,能够稳定地输出用于驱动负载装置的高压侧输出信号。
实施方式的驱动电路具有第一电平移位电路、第二电平移位电路、前置驱动器以及高端晶体管。上述第一电平移位电路被输入高压侧驱动信号,并输出将上述高压侧驱动信号向预定的第一信号电平移位后的第一开关信号。上述第二电平移位电路输出第二开关信号,第二开关信号是使上述高压侧驱动信号的信号电平向设定成为上述预定的第一信号电平以下的预定的第二信号电平移位后的开关信号。上述前置驱动器具有:第一开关部,根据上述第一开关信号对第一电源电压的供给路径的连接或者截断的某一方进行开关;以及第二开关部,通过上述第一开关部的开关与上述第一电源电压连接,并根据上述第二开关信号输出栅极信号。上述高端晶体管与设定为低于上述第一电源电压的第二电源电压连接,通过根据上述栅极信号供给的上述第二电源电压生成高压侧输出信号,并将上述高压侧输出信号向输出端子输出。
附图说明
图1是实施方式所涉及的驱动电路的一个例子的电路图。
图2是实施方式所涉及的基准电压电路的一个例子的电路图。
图3是实施方式所涉及的驱动电路的反转缓冲器的一个例子的电路图。
图4是实施方式所涉及的驱动电路的反转缓冲器的一个例子的电路图。
图5是实施方式的变形例1所涉及的驱动电路的一个例子的电路图。
图6是实施方式的变形例2所涉及的驱动电路的一个例子的电路图。
图7是实施方式的变形例3所涉及的驱动电路的一个例子的电路图。
图8是实施方式的变形例4所涉及的驱动电路的一个例子的电路图。
具体实施方式
(实施方式)
以下,参照附图对实施方式进行说明。
图1是实施方式所涉及的驱动电路1的一个例子的电路图。图2是实施方式所涉及的基准电压电路42的一个例子的电路图。图3是实施方式所涉及的驱动电路1的反转缓冲器B1的一个例子的电路图。图4是实施方式所涉及的驱动电路1的反转缓冲器B2的一个例子的电路图。
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