[发明专利]半导体封装装置和其制造方法

说明书

一种半导体封装装置包括裸片、介电层、多个传导柱和封装主体。所述裸片具有活性表面、与所述活性表面相对的背表面和在所述活性表面与所述背表面之间延伸的侧表面。所述介电层在裸片的所述活性表面上，具有顶表面且界定多个开口。每一传导柱安置于所述介电层的所述多个开口中的对应开口中。每一传导柱电连接到所述裸片。每一传导柱具有顶表面。每一传导柱的所述顶表面低于所述介电层的所述顶表面。所述封装主体囊封所述裸片的所述背表面和所述侧表面。

技术领域

本发明大体涉及一种半导体封装装置和一种其制造方法。更确切地说，本发明涉及一种包含扇出结构的半导体封装装置和一种其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体芯片和/或裸片正变得越来越小。同时，各种功能的更多电路将被集成到半导体裸片内。因此，半导体裸片倾向于具有装填到较小区域内的数目增大的I/O衬垫，且I/O衬垫的密度随时间快速升高。结果，半导体裸片的封装变得更困难，这不利地影响封装的良品率。

发明内容

在一或多个实施例中，一种半导体封装装置包括裸片、介电层、多个传导柱和封装主体。所述裸片具有活性表面、与所述活性表面相对的背表面和在所述活性表面与所述背表面之间延伸的侧表面。所述介电层在裸片的所述活性表面上，具有顶表面，且界定多个开口。每一传导柱安置于所述介电层的所述多个开口中的对应的开口中。每一传导柱电连接到所述裸片。每一传导柱具有顶表面。每一传导柱的所述顶表面低于所述介电层的所述顶表面。所述封装主体囊封所述裸片的所述背表面和所述侧表面。

在一或多个实施例中，一种半导体封装装置包括裸片、多个传导柱、介电层和封装主体。所述裸片具有活性表面、与所述活性表面相对的背表面和在所述活性表面与所述背表面之间延伸的侧表面。所述传导柱在所述裸片的所述活性表面上，且电连接到所述裸片。每一传导柱具有顶表面和侧表面。所述介电层在裸片的所述活性表面上。所述介电层包围每一传导柱的侧表面且暴露每一传导柱的所述顶表面。所述多个传导柱中的至少一个传导柱的高度与所述多个传导柱中的另一传导柱的高度不同。封装主体囊封所述裸片的所述背表面和所述侧表面。

在一或多个实施例中，一种制造半导体封装装置的方法，包括：(a)提供具有活性表面、与所述活性表面相对的背表面和侧表面的裸片；(b)在所述裸片的所述活性表面上形成介电层和多个传导柱，其中所述介电层具有顶表面和侧表面，每一传导柱具有顶表面，且所述介电层的所述顶表面比每一传导柱的所述顶表面高；(c)将所述介电层的所述顶表面附接到载体上；和(d)形成封装主体以覆盖所述裸片的所述背表面和所述侧表面和所述介电层的所述侧表面。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本发明的各方面。应注意，各种特征可不按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述的清晰起见任意地增大或减小。

图1A说明根据本发明的一些实施例的半导体封装装置的横截面图；

图1B说明根据本发明的一些实施例的如在图1A中展示的半导体封装装置的一部分的放大图；

图2A说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装装置的方法的各种阶段；

图2B说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装装置的方法的各种阶段；

图2C说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装装置的方法的各种阶段；以及

图2D说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装装置的方法的各种阶段；

贯穿图式和具体实施方式使用共同参考数字以指示相同或类似元件。从以下结合附图作出的详细描述将更加显而易见本发明。

具体实施方式