[发明专利]一种柔性金属衬底及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种用于制作柔性薄膜晶体管或薄膜二极管的柔性金属衬底，该柔性金属衬底包括金属箔片和附着在所述金属箔片表面上的金属镀层，其中，通过原子力显微镜在10×10μm的扫描范围下观察时，所述柔性金属衬底的均方根粗糙度<10nm。

2.根据权利要求1所述的柔性金属衬底，其中，所述柔性金属衬底的均方根粗糙度为0.5～9.9nm，优选地，所述金属箔片的厚度为5～125μm，所述金属镀层的厚度为1～25μm。

3.根据权利要求1或2所述的柔性金属衬底，其中，所述金属箔片为Ag、Al、Au、Co、Cr、Cu、Fe、Ir、Mo、Ni、Pb、Pd、Pt、Rh、Ru、Sn、Ta、Ti、V、W、Zr和不锈钢中的一种或多种，所述电镀金属层为Ag、Au、Cd、Co、Cr、Cu、Ir、Ni、Pb、Pd、Pt、Rh、W和Zn中的一种或多种。

4.权利要求1至3中任一项所述柔性金属衬底的制备方法，该制备方法包括：采用电镀法在金属箔片形成金属镀层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述电镀法包括：将金属箔片放置于电镀槽中的阴极位置，阳极为待镀的金属材料，并在电镀槽中加入电镀液；在阴极和阳极间施加电流与电压，电流范围为0.1～1A，电压范围为1～10V；获得所需厚度后取出，清洗并吹干。

6.一种柔性薄膜晶体管，所述柔性薄膜晶体管包括：柔性金属衬底、缓冲保护层、沟道层、栅绝缘层、栅电极、源电极、漏电极和钝化层，其中，所述柔性金属衬底为权利要求1至3中任一项所述的柔性金属衬底或者权利要求4或5所述方法制得的柔性金属衬底。

7.根据权利要求6所述的柔性薄膜晶体管，其中，所述缓冲保护层的材料为氧化铝、氧化铪、氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化钇、聚酰亚胺和聚四氟乙烯中的一种或多种；优选地，所述缓冲保护层的材料为聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物；优选地，所述缓冲保护层的厚度为100nm至1μm。

8.一种柔性薄膜二极管，所述柔性薄膜二极管包括：柔性金属衬底、缓冲保护层、沟道层、绝缘层、第一电极、第二电极、连接电极和钝化层，其中，所述柔性金属衬底为权利要求1至3中任一项所述的柔性金属衬底或者权利要求4或5所述方法制得的柔性金属衬底。

9.根据权利要求7所述的柔性薄膜二极管，其中，所述缓冲保护层的材料为氧化铝、氧化铪、氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化钇、聚酰亚胺和聚四氟乙烯中的一种或多种；优选地，所述缓冲保护层的材料为聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物；优选地，所述缓冲保护层的厚度为100nm至1μm。

10.一种制作柔性薄膜晶体管或柔性薄膜二极管的方法，所述方法包括以下步骤：采用电镀法在金属箔片形成金属镀层从而制备柔性金属衬底；在所述柔性金属衬底上沉积缓冲保护层；在所述缓冲保护层上制备薄膜晶体管或薄膜二极管以形成基于金属衬底的柔性薄膜晶体管或柔性薄膜二极管。