[发明专利]一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器有效
| 申请号： | 201810088168.0 | 申请日： | 2018-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN108490539B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 张林;张猛 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/14;G02B6/26;G02B6/293;G02B6/30 |
| 代理公司： | 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 李丽萍<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻槽 光栅耦合器 少模光纤 波导芯层 激发 光传播方向 高阶模式 基底 两组 次电子束 左右两侧 上表面 相位差 光场 刻蚀 衍射 加工 垂直 制造 | ||
1.一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器，包括SOI基底，所述SOI基底的上面是波导芯层，所述SOI基底的氧化层厚度为2微米，所述波导芯层具有多个刻槽，其特征在于，
沿着光传播方向将多个刻槽分为两组，其中，将前若干个刻槽记为第一组刻槽，剩下的刻槽记为第二组刻槽，所述第一组刻槽和第二组刻槽之间距离为D1，该距离D1使得第一组刻槽和第二组刻槽衍射出来的光场的相位差为π；从而激发少模光纤中的LP11a模式。
2.一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器，包括SOI基底，所述SOI基底的上面是波导芯层，所述SOI基底的氧化层厚度为2微米，所述波导芯层具有多个刻槽，其特征在于，
沿着波导芯层上表面垂直于光传播方向将多个刻槽按照左右两侧分为两组，其中，将左侧的刻槽记为第一组刻槽，将右侧的刻槽记为第二组刻槽，在沿光传播方向上所述第一组刻槽和第二组刻槽的起始位置的距离为D2，该距离D2使得第一组刻槽和第二组刻槽衍射出来的光场的相位差为π；从而激发少模光纤中的LP11b模式。
3.一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器，包括SOI基底，所述SOI基底的上面是波导芯层，所述SOI基底的氧化层厚度为2微米，所述波导芯层具有多个刻槽，其特征在于，
沿着光传播方向将多个刻槽分为两组，其中，将前若干个刻槽记为A组刻槽，剩下的刻槽记为B组刻槽，A组刻槽和B组刻槽之间距离为D1；
进而，沿着波导芯层上表面垂直于光传播方向将A组刻槽和B组刻槽均按照左右两侧分为两组，其中：
将A组刻槽中的左侧刻槽记为A1组刻槽，将A组刻槽中的右侧刻槽记为A2组刻槽；
将B组刻槽中的左侧刻槽记为B1组刻槽，将B组刻槽中的右侧刻槽记为B2组刻槽；
在沿光传播方向上所述A1组刻槽和A2组刻槽的起始位置及所述B1组刻槽和B2组刻槽的起始位置的距离均为D2；该距离D2使得A1组刻槽和A2组刻槽衍射出来的光场的相位差及B1组刻槽和B2组刻槽衍射出来的光场的相位差均为π；从而激发少模光纤中的LP21b模式。
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