[发明专利]SiC晶片的生成方法

权利要求书

1.一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和与c轴垂直的c面，

该SiC晶片的生成方法具备下述工序：

剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成剥离层，该剥离层由SiC分离成Si和C的改质部和从改质部起在c面各向同性地形成的裂纹构成；和

晶片生成工序，在实施该剥离层形成工序后，将单晶SiC晶锭的生成SiC晶片的那侧浸渍于液体中，与发出具有与单晶SiC晶锭的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波的振动板对置，以剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片。

2.如权利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，与单晶SiC晶锭的固有振动频率近似的频率为单晶SiC晶锭的固有振动频率的0.8倍。

3.如权利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，该液体为水且设定为可抑制产生气穴的温度。

4.如权利要求3所述的SiC晶片的生成方法，其中，水的温度为0℃～25℃。

5.如权利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，在该剥离层形成工序中，

在单晶SiC晶锭的端面的垂线与c轴一致的情况下，在不超过从连续形成的改质部起在c面各向同性地形成的裂纹的宽度的范围，对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给，连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结，形成剥离层。

6.如权利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，在该剥离层形成工序中，

在c轴相对于单晶SiC晶锭的端面的垂线倾斜的情况下，在与通过c面和端面形成偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部，从改质部起在c面各向同性地形成裂纹，在形成该偏离角的方向上在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给，在与形成该偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部，从改质部起在c面各向同性地依次形成裂纹，形成剥离层。