[发明专利]一种改进的差分架构SONOS Flash存储单元及存储器在审
| 申请号： | 201810089420.X | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108711442A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张立军;季爱明;吴澄;陈泽翔;桑胜男;马亚奇;刘金陈;佘一奇 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/04;G11C16/34 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215104 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储单元 存储器 公共端 架构 读取 灵敏放大器 对称分布 恢复电路 基准电路 匹配问题 栅极相连 跨接 漏极 位线 源极 源线 字线 改进 | ||
1.一种改进的差分架构SONOS Flash存储单元，其特征在于：包括差分对称分布的两个完全相同的SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2，所述SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2的栅极相连，作为整个存储单元的字线;所述SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2的漏极分别连接存储单元的两根源线SL1和SL2;所述SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2的源极分别作为存储单元的两根位线BL1和BL2，并作为一组差分对输入到灵敏放大器中；
还包括跨接在所述SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2的栅极的公共端与源线SL1和SL2的公共端之间的PBTI恢复电路。
2.根据权利要求1所述的改进的差分架构SONOS Flash存储单元，其特征在于：所述PBTI恢复电路包括晶体管MM1、晶体管MM0、反相器IV0以及传输门TG1；
所述晶体管MM1的源极连接到GND，栅极连接输入使能信号EN，漏极连接到SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2的栅极的公共端，衬底连接到GND；
所述晶体管MM0的源极连接到VDD，栅极连接输入控制信号ENB，漏极连接到源线SL1和SL2的公共端，衬底连接到VDD；
所述反相器IV0的输入端连接输入使能信号EN，输出端连接输出控制信号ENB；
所述传输门TG1左端接WL，右端接SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2的栅极的公共端，上端接控制信号ENB，下端接使能信号EN。
3.根据权利要求2所述的改进的差分架构SONOS Flash存储单元，其特征在于：所述晶体管MM1为NMOS管，所述晶体管MM0为PMOS管。
4.根据权利要求1所述的改进的差分架构SONOS Flash存储单元，其特征在于：所述SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2均为NMOS管。
5.一种改进的差分架构SONOS Flash存储器，其特征在于：其包括PBTI恢复电路、BUF电路以及复数个并列的存储模块，每个所述存储模块中包含复数个如权利要求1~4所述的存储单元，所述PBTI恢复电路经BUF电路分别跨接在各存储单元的SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2的栅极的公共端与源线SL1和SL2的公共端之间。
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