[发明专利]选择性发射极黑硅多晶PERC电池结构的制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极黑硅多晶PERC电池结构的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

（1）在硅片正面形成纳米绒面，硅片背面为抛光面；

（2）扩散：在硅片的正面进行磷扩散形成N型层，扩散后表面方块电阻为120-140Ω/□；

（3）去除硅片正面磷硅玻璃和背面pn结；

（4）镀膜：在硅片正面沉积氮化硅减反射膜层，在硅片背面沉积AlO_x/SiN_x叠层钝化介质层；

（5）使用激光器在硅片背面打点或者打线，使AlO_x/SiN_x叠层钝化介质层从硅片表面剥离；

（6）丝网印刷：在背面丝网印刷银电极和铝浆；

（7）烧结：进行低温烧结使铝浆与激光开窗处的硅反应形成局部铝背场，烧结温度为600-650℃；

（8）喷涂磷酸：在硅片正面均匀喷涂3-8%的磷酸和酒精的混合溶液，喷涂后使用热氮干燥；

（9）激光掺杂：使用激光对硅片正面进行加热，形成主栅线和副栅线；

（10）光诱导电镀镍/铜/银电极：将硅片正面浸入电镀溶液，对硅片正面在光照条件下进行电镀，在硅片的正面栅线处沉积镀上金属栅线，硅片表面光照强度15000-20000lux，镍层厚度1-2μm，铜层厚度10-15μm，银层厚度2-4μm；

（11）退火。

2.如权利要求1所述的选择性发射极黑硅多晶PERC电池结构的制备方法，其特征是：所述步骤（1）制备得到的纳米绒面孔径200-700nm，反射率为14-18%。

3.如权利要求1所述的选择性发射极黑硅多晶PERC电池结构的制备方法，其特征是：所述步骤（2）中，在扩散炉中880℃的温度下，采用三氯氧磷在硅片的正面进行磷扩散形成N型层。

4.如权利要求1所述的选择性发射极黑硅多晶PERC电池结构的制备方法，其特征是：所述步骤（4）中，氮化硅减反射膜的厚度为75-85nm，平均折射率为2.04-2.14；氧化铝膜厚度为10-30nm，折射率为1.55-1.70，氮化硅膜厚度为120-200nm，折射率为1.90-2.20。

5.如权利要求1所述的选择性发射极黑硅多晶PERC电池结构的制备方法，其特征是：所述步骤（5）中进行打线时，线条间距为0.7-0.9mm，线宽为40-60um；打点时，点间距为0.6-0.8mm，点直径为200um。

6.如权利要求1所述的选择性发射极黑硅多晶PERC电池结构的制备方法，其特征是：所述步骤（9）中采用的激光波长为355nm或532nm，形成的栅线宽度为8-12μm。

7.如权利要求1所述的选择性发射极黑硅多晶PERC电池结构的制备方法，其特征是：所述步骤（11）中，硅片在氮气或者氮氢混合气氛中进行退火，退火温度为300-450℃，退火时间3-8分钟。