[发明专利]一种适于任意电阻类型的低温漂高精度电流源在审
| 申请号： | 201810091047.1 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108376010A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 唐顺柏 | 申请（专利权）人： | 深圳市明柏集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 谭雪婷;高早红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温漂 电流源 电流源产生电路 带隙基准电路 高精度电流源 电阻类型 温度系数 电阻 带隙基准电压 本征电阻 带隙基准 源极连接 栅极连接 电源VCC 电压源 热电压 漏极 | ||
1.一种适于任意电阻类型的低温漂高精度电流源，其特征在于，包括：
带隙基准电路，产生带隙基准电压；
电流源产生电路，产生低温漂电流源；
带隙基准电路由MOS管M1、M2、M3和PNP管Q1、Q2及电阻R1、R2、R3组成；
MOS管M1、M2、M3的源极连接电源VCC；MOS管M2的栅极连接MOS管M1的栅极和漏极，MOS管M3的栅极连接MOS管M2的漏极；MOS管M1的漏极连接PNP管Q1的集电极，PNP管Q1的基极与PNP管Q2的基极连接并产生带隙基准电压Vdg；PNP管Q1的发射极通过电阻R2接地；MOS管M2的漏极连接PNP管Q2的集电极，PNP管Q2的基地通过电阻R3接地，PNP管Q2的发射极依次通过电阻R1、R2接地；
电流源产生电路包括MOS管M4；
MOS管M4的源极连接电源VCC，MOS管M4的栅极连接MOS管M3的栅极，MOS管M4的漏极产生低温漂电流源Iref。
2.根据权利要求1所述的一种适于任意电阻类型的低温漂高精度电流源，其特征在于，所述MOS管M2镜像MOS管M1的电流，两者的宽长比一样，源漏电流相等；所述MOS管M4镜像MOS管M3的电流，MOS管M4的源漏电流即为所述低温漂电流源Iref。
3.根据权利要求2所述的一种适于任意电阻类型的低温漂高精度电流源，其特征在于，所述低温漂电流源Iref等于带隙基准电压Vdg除以电阻R3所得到的数值。
4.根据权利要求3所述的一种适于任意电阻类型的低温漂高精度电流源，其特征在于，所述带隙基准电压Vdg等于MOS管M1、M2的源漏电流之和乘以电阻R2再加上PNP管Q1的BE节电压所得到的数值。
5.根据权利要求4所述的一种适于任意电阻类型的低温漂高精度电流源，其特征在于，所述MOS管M1的源漏电流等于MOS管M2的源漏电流等于PNP管Q1的BE节电压减去PNP管Q2的BE节电压之值再除以电阻R1所得到的数值。
6.根据权利要求1所述的一种适于任意电阻类型的低温漂高精度电流源，其特征在于，所述电流源产生电路还包括MOS管M5；MOS管M5的源极连接电源VCC，MOS管M5的栅极与MOS管M1的漏极连接，MOS管M5、M4的漏极共同产生低温漂电流源Iref。
7.根据权利要求6所述的一种适于任意电阻类型的低温漂高精度电流源，其特征在于，所述MOS管M4的源漏电流镜像MOS管M3的源漏电流。
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