[发明专利]N型太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：对N型硅衬底进行双面制绒；

S2：对该N型硅衬底进行硼扩散以在该N型硅衬底的正面形成P型掺杂层作为正面发射极；

S3：对该N型硅衬底进行背面刻蚀以去除在扩散过程中形成于该N型硅衬底背面的P型掺杂区域；

S4：对该N型硅衬底背面进行N型掺杂元素离子注入，形成N型掺杂背场；

S5：在该N型硅衬底背面形成氧化层；

S6：在该氧化层上形成N型多晶硅层；

S7：在该N型硅衬底正面和背面形成减反射膜；

S8：在该N型硅片正面和背面形成金属电极。

2.如权利要求1所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S4中的N型掺杂元素离子注入为覆盖整个背面的整面注入，以在该N型硅衬底的背面形成N型掺杂层作为N型掺杂背场。

3.如权利要求1所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S4中的N型掺杂元素磷离子注入为图案化局部注入，以在该N型硅衬底的背面中的相互间隔的预定区域中形成N型掺杂区域作为局部N型掺杂背场，并且，步骤S8中背面的金属电极位于与N型掺杂区域相应的位置。

4.如权利要求3所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，图案化注入的注入区域宽度为50μm-500μm。

5.如权利要求1所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S4中采用磷元素，其中磷离子注入能量为1-15keV，剂量为1e14-5e15/cm²，

或者，步骤S4中还包含退火步骤，退火温度为600℃-1000℃，退火时间为10分钟-120分钟。

6.如权利要求1所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S5中的氧化层厚度为1nm-10nm，采用化学氧化、热氧化或CVD形成。

7.如权利要求1所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S6中的N型多晶硅形成步骤为：

SS1：先采用LPCVD形成本征非晶硅或本征多晶硅，厚度10nm-500nm；

SS2：在非晶硅或者多晶硅中进行N型掺杂元素离子注入，能量为1-15keV，剂量为1e14-1e16/cm²；

SS3：在以下条件下退火：温度600℃-1000℃，10分钟-120分钟。

8.如权利要求1所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S6中的N型多晶硅形成步骤为：

SR1：先通过PECVD形成磷掺杂的非晶硅或多晶硅，厚度10nm-500nm；

SR2：在以下条件下退火：温度600℃-1000℃，10分钟-120分钟。

9.如权利要求1所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S6与步骤S7之间还包括在N型硅衬底正面形成钝化层，该钝化层为氧化硅、Al₂O₃、氧化钨、氧化钛、氧化钼之一，厚度为1nm-20nm。

10.如权利要求1所述的N型太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S8中利用丝网印刷导电浆料、高温烧结的方法形成金属电极。