[发明专利]利用铥离子上转换紫光进行抗白光LED光源干扰的测温方法有效
申请号: | 201810091515.5 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108426651B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 张治国;李磊朋;秦峰;赵华;郑仰东 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G01K11/00 | 分类号: | G01K11/00 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 贾泽纯 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 白光LED光源 测温 上转换 铥离子 紫光 荧光带 函数关系 离子掺杂 纳米晶体 温度测量 稀土荧光 样品放置 中心波长 激发光 激发源 激发 监测 应用 | ||
1.利用铥离子上转换紫外光进行抗白光LED光源干扰的测温方法,其特征在于是按以下步骤进行:一、制备Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4,得到样品;二、利用980nm激光二极管作为泵浦光源对样品进行激发,改变样品的温度从而获得不同温度下Tm3+离子紫外波段的上转换荧光,监测中心波长位于290nm和345nm的两个荧光带,对两个荧光带的强度进行积分,并作出两个荧光带的强度比值和温度之间的函数关系FIR=3.6*10-4*exp(T/92.9)+1.55*10-2,T为绝对温度值;三、将样品放置于待测环境,获得对应的上述两个荧光带的强度比值,将其代入上述函数中即可获得待测环境温度值。
2.根据权利要求1所述的利用铥离子上转换紫外光进行抗白光LED光源干扰的测温方法,其特征在于步骤一中Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4的制备方法是溶剂热法。
3.根据权利要求1所述的利用铥离子上转换紫外光进行抗白光LED光源干扰的测温方法,其特征在于步骤一中Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4的制备方法具体包括以下步骤:
(1)在持续磁力搅拌并且全程通氮气保护气的条件下,将0.75mmol YbCl3·6H2O、0.25mmol YbCl3·6H2O和0.003mmol TmCl3·6H2O加入到50mL的圆底三口瓶中,并加入6mL油酸和10mL十八烯溶剂,接着将三口瓶密封并且加热到160℃保温1h;
(2)将6mmol NaOH和4mmol NH4F加入到装有20mL的甲醇溶液的玻璃样品瓶中,在50℃的温度下持续磁力搅拌0.5h,得到混合溶液A;
(3)将步骤(1)的三口瓶降温至50℃,并将混合溶液A加入到三口瓶中,在该温度下保温0.5h;
(4)将步骤(3)的三口瓶升温到70℃并开口保温10min;
(5)将步骤(4)的三口瓶升温到110℃并开口保温10min;
(6)将步骤(5)的三口瓶升温到300℃并密封保温1h;
(7)将步骤(6)的三口瓶冷却至室温,加入30mL无水乙醇并离心得到纳米晶体NaYF4的样品;
(8)将纳米晶体NaYF4样品在70℃的恒温干燥箱静置24h即完成。
4.根据权利要求1所述的利用铥离子上转换紫外光进行抗白光LED光源干扰的测温方法,其特征在于步骤一中Yb3+和Tm3+离子掺杂的摩尔浓度分别为25%和0.3%。
5.根据权利要求1所述的利用铥离子上转换紫外光进行抗白光LED光源干扰的测温方法,其特征在于步骤一中所制备的Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4为粉体纳米材料。
6.根据权利要求1所述的利用铥离子上转换紫外光进行抗白光LED光源干扰的测温方法,其特征在于步骤一中所制备的Yb3+和Tm3+离子掺杂的纳米晶体NaYF4为六角相晶体结构。
7.根据权利要求1所述的利用铥离子上转换紫外光进行抗白光LED光源干扰的测温方法,其特征在于步骤二中的改变样品的温度区间为35℃~175℃,每次改变间隔为10℃。
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